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[問題求助] 關於雙保護環(double guard rings)煩請高手解答

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1#
發表於 2008-5-6 20:12:40 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我目前在青輔會受訓非本科或相關科系學生,日前去面試時被問倒了...面試官問我一個問題要圍雙 guard ring 的用意在哪裡?假設一個Pmos已經圍了一層N GUARD RING那外面一層要圍N還是P GUARD RING?假設是圍pGUARD RING 那工作原理是什麼?>>>這題應該是我不夠努力∼所以我回答不出來,我只知道單層的GUARD RING/ B6 ?2 j! I5 B
以及放DUMMY的用意是什麼?我的回答是:防止過度蝕刻,當做備品用 但是面試官一直問我還有呢?還有呢?然後跟我說:你準備的不夠....但是我查了一些資料,大部分都是說這些,難道還有其他功用嗎?希望高手能幫幫忙,謝謝
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發表於 2008-5-7 23:45:28 | 只看該作者
我在之前的公司有lay過double guard rings,內圍是用PTHIN guard rings,外圍是用
: L6 E; A3 @/ fNwell+NTHIN(甜甜圈結構).主要就是用來防止noise,那時是圍在Oscillator外圍.
6 Y& F+ }" Z7 i( X  _# v1 j
6 e# o" ~" A: K% [* KDummy的話,不知道你指的是那部份?? 引述一篇paper " SmartExtract:Accurate Capacitance
3 y2 C& u# v3 k2 ~* {# d5 GExtraction for SOC", 這裡提到的dummy是指layout完成後,在每層layer空曠處,補上同一layer
# Y9 X3 v# {5 ?! U7 Sdummy, 為的是在CMP process時,有較佳的均勻性:
+ f  D+ e' X' M$ xDummy(or fill) metal is introduced in the interconnect process flow to enable uniform! [) t( H3 _8 k
thickness control in the CMP process. Dummy metal needs to be treated as floating metal 4 l- H  U# v& S& }" l
unless it is intentionally connected to a constant potential. Floating dummy metal
8 @& d! g: N: I( q2 G" O+ iessentially acts as a capacitance divider.5 @& r& ~0 p) |% ?0 [& p
另外有一種dummy, 之前我在做analog layout時,會在需做match的mos旁,故意lay半顆或整顆. \! e4 |! k/ @' ^5 x0 N" T+ l, j
mos,除了你寫的那些原因,我想是因為實體mos的邊緣不見得是像layout般的四方形(what you draw is not what you get),可能是梯形或不規則多邊形,製程上很難做到如此完美,所以為了確保
' ~' l" Z! }' i# T! p6 {$ V1 Y4 v主要的mos的完整性及對稱性,在mos旁再多加dummy mos(不要讓主要mos成為最邊緣的部
6 b* [% t# V. H" }7 m份).以上是我自己的想法,歡迎各位先進指教
2#
發表於 2008-5-7 07:59:04 | 只看該作者
我不常畫layout,就我知到來講...: F, W/ w8 x" z9 H/ W8 N4 m! i
DUMMY最常用功用就是你說的那樣,或是用來match(Pmos接GND,Nmos接VDD)  `' g6 @5 N9 Q. F
GuardRing主要作用防止雜訊干擾、latch up(圍上後newll及psubstrate上的阻值會變小)& ?9 r2 r! T6 M/ Z
第二圈的話就選與第一圈相對的type...主要好像也是防止雜訊干擾% y$ Q1 U6 s& E- H. h8 B
因為畫了第二圈,此區MOS與另外一區MOS間的距離增加,干擾就會較少
4#
發表於 2008-5-14 10:45:28 | 只看該作者
會加double guardring應該是要防止latch up 發生。
, v/ p, R" B) q: N: X# i/ T一般會加再whole chip  OR  敏感線路的外圍,* `; _' m  `1 D0 O( ~
至於您提問的問題Pmos已有一圈N那如果造再加一圈應該是P or N?
4 R0 _  q  V/ a答案是P# M4 G, G) m: e6 W& }
你所問的那個情況應該是ESD proetcion吧?
: X9 t0 F2 ]: B% ]& C0 v  o* x6 P& g' e' z
至於原理~~~~~8 x7 \5 q8 r$ C
他叫做(Pseudo Collector)
/ C; \4 Z( r+ C# J$ k他是要降低等效latch up線路的集極電阻所以....有點忘了。
( `' u6 H* m* T0 ^! Y; w1 i反正等效起來第2圈ring會剛好是並連許多集極。
; r3 _+ \5 S3 \( Y+ C這可能要去查一些paper了。% S# o& D: \# C& A1 Q, U: [. O" @

5 g3 F7 K+ Y! _" j* y4 z: Q/ Z5 ]. w: Q  o- ?" r' s7 h
至於dummy 就是你所回答的那樣,面試官那麼厲害,叫他講出另一套作用來。0 L" a6 G4 d9 ?" ~
他只想考倒你而已。
+ w) T1 |* ~  D
1 R3 {# J# s" j, l5 j4 C[ 本帖最後由 arthur03226 於 2008-5-14 10:47 AM 編輯 ]
5#
發表於 2008-5-14 14:19:17 | 只看該作者
說錯請指正,除了過度蝕刻之外,可以順便預防 LOD 效應嗎 ?
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