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[問題求助] 關於雙保護環(double guard rings)煩請高手解答

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1#
發表於 2008-5-6 20:12:40 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我目前在青輔會受訓非本科或相關科系學生,日前去面試時被問倒了...面試官問我一個問題要圍雙 guard ring 的用意在哪裡?假設一個Pmos已經圍了一層N GUARD RING那外面一層要圍N還是P GUARD RING?假設是圍pGUARD RING 那工作原理是什麼?>>>這題應該是我不夠努力∼所以我回答不出來,我只知道單層的GUARD RING  g/ ~* Q3 {2 F+ f* ]( u
以及放DUMMY的用意是什麼?我的回答是:防止過度蝕刻,當做備品用 但是面試官一直問我還有呢?還有呢?然後跟我說:你準備的不夠....但是我查了一些資料,大部分都是說這些,難道還有其他功用嗎?希望高手能幫幫忙,謝謝
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發表於 2008-5-7 23:45:28 | 只看該作者
我在之前的公司有lay過double guard rings,內圍是用PTHIN guard rings,外圍是用# [' f: l+ Z- z, f
Nwell+NTHIN(甜甜圈結構).主要就是用來防止noise,那時是圍在Oscillator外圍.
$ @2 @( U: f$ r3 N% P  D6 Q+ Y; J* z! Y& z
Dummy的話,不知道你指的是那部份?? 引述一篇paper " SmartExtract:Accurate Capacitance 0 w: H4 y' _& X% U) z1 P0 t. {
Extraction for SOC", 這裡提到的dummy是指layout完成後,在每層layer空曠處,補上同一layer
- A) r4 h' \, u, v% [9 n4 X/ idummy, 為的是在CMP process時,有較佳的均勻性:
) l6 n9 L- c- k3 q0 b) GDummy(or fill) metal is introduced in the interconnect process flow to enable uniform8 K- Q# b: r, L
thickness control in the CMP process. Dummy metal needs to be treated as floating metal
( v0 r" [2 [9 ~unless it is intentionally connected to a constant potential. Floating dummy metal
' ?+ }, q3 c' K& X5 \4 r( j# Oessentially acts as a capacitance divider.5 J4 W+ Y- u4 ~
另外有一種dummy, 之前我在做analog layout時,會在需做match的mos旁,故意lay半顆或整顆) B( R& m  R# M) Z' L
mos,除了你寫的那些原因,我想是因為實體mos的邊緣不見得是像layout般的四方形(what you draw is not what you get),可能是梯形或不規則多邊形,製程上很難做到如此完美,所以為了確保
. H& N/ e7 n  k: |2 i- O8 n  N主要的mos的完整性及對稱性,在mos旁再多加dummy mos(不要讓主要mos成為最邊緣的部
* A1 m7 |/ b3 j- Q" V2 Q/ W份).以上是我自己的想法,歡迎各位先進指教
2#
發表於 2008-5-7 07:59:04 | 只看該作者
我不常畫layout,就我知到來講...
) M0 l, x7 h/ wDUMMY最常用功用就是你說的那樣,或是用來match(Pmos接GND,Nmos接VDD); ^5 F1 k  @6 j$ Y* q" e
GuardRing主要作用防止雜訊干擾、latch up(圍上後newll及psubstrate上的阻值會變小); p+ U! l' r  M: h3 p) K
第二圈的話就選與第一圈相對的type...主要好像也是防止雜訊干擾
5 g. A: P4 o) f3 c. K6 ?3 h因為畫了第二圈,此區MOS與另外一區MOS間的距離增加,干擾就會較少
4#
發表於 2008-5-14 10:45:28 | 只看該作者
會加double guardring應該是要防止latch up 發生。
& d( a, y) I  i- U一般會加再whole chip  OR  敏感線路的外圍," t3 `% c9 C$ U. W
至於您提問的問題Pmos已有一圈N那如果造再加一圈應該是P or N?7 [6 ]# x6 H8 g
答案是P
9 {' e% D8 ~# S3 r( |- P你所問的那個情況應該是ESD proetcion吧?( ]% t9 E0 L* T. y7 a# E
( b/ e$ i! U4 H8 B$ _
至於原理~~~~~; `4 J" X- I+ o4 a; o8 W3 J
他叫做(Pseudo Collector)
5 g. ~+ m4 c5 s他是要降低等效latch up線路的集極電阻所以....有點忘了。
& q( j0 ?0 `" W" F0 o( u反正等效起來第2圈ring會剛好是並連許多集極。
) `6 R8 n/ S- J' k& l" |+ _這可能要去查一些paper了。( X: ^$ L& p# O  ?/ Z2 v0 w
. p$ L0 _9 |! b4 S0 t
) c" r+ f  m' t& x
至於dummy 就是你所回答的那樣,面試官那麼厲害,叫他講出另一套作用來。9 b: a- k/ E+ R. N5 v
他只想考倒你而已。  c8 f1 h) |) y1 A3 J+ L
. J, j, P4 m3 m& b7 h0 H4 P
[ 本帖最後由 arthur03226 於 2008-5-14 10:47 AM 編輯 ]
5#
發表於 2008-5-14 14:19:17 | 只看該作者
說錯請指正,除了過度蝕刻之外,可以順便預防 LOD 效應嗎 ?
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