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[問題求助] Layout 新手問題!!

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1#
發表於 2008-5-14 15:21:36 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
inverter 製程 0.18- A& g; a/ ]: a8 m# C
  O7 x4 o/ q: C) K
---RUN DRC----------; `8 N, v* V5 g7 H
出現error
$ Y# w5 C0 b, V1 Q6 N. C
9 e$ q+ p) {% D" b1.CHECK OD.R.1WARN -2 errors
2 }2 D* }6 E4 r(OD WITHOUT IMPLANT)
3 L# z1 I% v1 ?) b
  N7 [8 R2 I1 ?; ~' P8 U2.CHECK M1.E.2- 8 errors& S4 g) J- M# Y" g7 i
M1.E.2(@Min extension of M1 end-of-line region beyond
" a) M" z$ O. ~* l6 s6 j. u7 kC0 region is 0.06um X = ENC[C0] M1 < 0.06 ABUT < 90 opposite
$ T- [3 S2 o: I* uINT x <0.22 ABUT == 90 intersecting only)
, Y! w1 A2 s6 q. ]4 w" D3 l4 M6 P, g( H" o" `4 I: |+ i- O/ ~2 y! e/ A
3.CHECK P0.R.3 -1 errors
4 Y1 I  {! P0 E' N8 G8 OPoly area coverage < 14% (exclude application forindactor)0 @1 J9 \0 h! k& X" ?
CHIP_NOT_IND = CHIP NOT INDDMY$ j: M6 o1 L1 u/ B! ^# x) _
Density polyI_NIND CHIP_NOT_IND <0.14 print
& F5 u3 T1 ~8 Q: A" A) l' x+ ^AREA (POLYI_NIND) / AREA (CHIP_NOT_IND)
7 U% T  u" Y$ {9 B.
( U0 f. R$ g6 d' R( g( w& I) L.7 }* |0 s1 f/ U
.
; E/ p) ~2 J+ {; g類似錯誤
$ ^% t. t5 @; _3 I4 j9 q0 T
$ G8 Z5 j7 }9 p1 Q4 J0 _+ }3 `# r+ W
5 \! h) C7 C3 m6 o: j2 n5 _6 ?! R9 x: ]9 g0 m% D$ N
1 D- J2 P# e) Q, t1 L3 f
1。因為標錯誤的圖示實在找不到,無從下手,都在亂猜,所以上來請益,
7 Z/ B9 Z4 ?* g3 u& B希望可以指出我錯誤的地方跟改錯方法?, X, V% F% ?: Q2 H& Y/ m8 I
ex. diffusion :gate 的寬度不能小於0.32 之類的) E( X. [# D* `% o1 L& w( r
2。是否有專業解說DRC error的網站?可以提供給小弟精進,還是一切
9 M9 B8 m1 L' k1 O& ^都是憑經驗* q: L/ i7 g: v2 ?3 \7 r+ c. {

7 {/ r6 N1 c9 Y1 N$ {初次發問,得罪的地方,請多多指教。
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2#
發表於 2008-5-14 16:14:06 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

1.是OD外圍要圍n implant or p implant
$ S5 `. D" Z  b; o2.是左右MT1 extension co 需0.0um
4 V4 @! l0 u. `. L9 C# {' P! z3.是Poly area 要大於14% (就把他話大超過14%就可以了)
& m4 m& y6 K4 p: h我覺得應該釋這樣解釋!!
3#
發表於 2008-5-14 19:05:42 | 只看該作者
建議您可以先去看一下IC製程的流程
. V3 D& Z. e7 d9 X! T1 Y, I# D' L
. A" k2 z' G- b這樣子在Layout 時會比較有感覺
4#
發表於 2008-5-14 19:26:12 | 只看該作者
撱箄降���foundary撱��靘��design rules paper憒�迨�冽�error���瘥�����閬�
5#
發表於 2008-5-15 03:10:27 | 只看該作者
感覺您mos是自己建的?( K) e2 l8 e  N9 E
第三個coverage 可以忽略: }  U" w8 J3 t2 l# t& C
要下線時再解決即可
6 H( X) }, J6 n3 r8 B7 K+ y0 k- e1 A
laker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能...8 `+ \! I% w9 j3 m
應該是說,這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了
6#
 樓主| 發表於 2008-5-15 04:45:40 | 只看該作者
原帖由 Shouwei 於 2008-5-15 03:10 AM 發表 7 R0 Y; ?5 Y9 G- N- i' @
感覺您mos是自己建的?% W2 B" N1 s! \; m: M
第三個coverage 可以忽略
" D% W* H3 J1 b' }$ B要下線時再解決即可+ A, g: X+ C: K1 k
' Q8 A; [- k$ C; f+ O  k- J
laker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能...
6 n( d! f$ N- d" D  W9 p應該是說,這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了
4 w( w6 o( q$ A0 G4 o$ x9 G0 t
: Y7 B- K6 p$ c
) P9 y% B. t& U/ e5 u# B  H( K) W+ ?
mos 我是用模組,create -> trainsistor -> pMos 1.8V 這樣7 N, N# e6 Q( `9 {0 z9 p  g
0.18 um 我不曉得是不是 poly的寬度 。他有預設0.18 um
- a: G6 c' d9 b5 U, |% v9 [感謝你的回答,我又多了一個try的機會,往正確的道路行走。
7#
發表於 2008-5-15 08:41:50 | 只看該作者
是呀,點18製程,當然poly預設就是最短的length,0.18um% i+ m/ j/ ]( @% ?4 ~8 a$ k8 O
=============================================- i! U& `' {, n( J% P2 U  g
今天cic 有開放線上e-learning
4 B7 I; h/ Y' m9 B% S# ]趕快詢問您們lab的管理員
4 {8 X4 r% y7 S  B8 v看有沒有開權限給您(要先加入cic會員)
% f( ~( B% h! Q1 f1 P( a- q裡面有教laker、full custom design concept
/ j* {7 P$ i. E# s亦有hspice,都有一些不錯的技巧
( E  Z4 [  z- c" }- w要趕快報名唷,晚了就向隅了,呵呵
8#
發表於 2008-5-16 18:57:47 | 只看該作者
建議看foundary廠的DRC paper,這樣在找error時會比較有感覺。
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