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[問題求助] Layout 新手問題!!

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1#
發表於 2008-5-14 15:21:36 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
inverter 製程 0.18
, w+ g2 a0 q6 i6 w# F7 t$ R8 C) v& z- ]3 l/ g$ h
---RUN DRC----------
1 E, G6 P# r& a: c) G' b出現error
) ~$ S8 a+ {" R
! U! E  t+ L' A& t' @1.CHECK OD.R.1WARN -2 errors
: d$ \+ Y; [( a+ Q0 Z, M(OD WITHOUT IMPLANT): R4 f, ~, b: y, E( a' @- g

* y! |/ R2 X4 u- V& o2.CHECK M1.E.2- 8 errors
9 }' g7 t2 F1 D/ C" RM1.E.2(@Min extension of M1 end-of-line region beyond) a0 b: m5 _& B) [  R5 {) U
C0 region is 0.06um X = ENC[C0] M1 < 0.06 ABUT < 90 opposite& ]) O9 G( n0 E. ]
INT x <0.22 ABUT == 90 intersecting only)0 p$ a0 W9 E0 K2 w1 i

4 J1 r" Z) |+ d3.CHECK P0.R.3 -1 errors
+ B# ~; J' y0 y/ X5 r% HPoly area coverage < 14% (exclude application forindactor)
. x1 ?& _, ^7 w$ q6 T( M9 o' P# jCHIP_NOT_IND = CHIP NOT INDDMY
. U* ~  q1 U6 p, |Density polyI_NIND CHIP_NOT_IND <0.14 print6 F. W) h2 c0 G+ Q8 H, b1 R* u* G
AREA (POLYI_NIND) / AREA (CHIP_NOT_IND)7 e) D+ |0 Q5 x% \
.2 m1 [; e$ W5 m3 x
.% e0 \3 {' M( ]
.
2 p1 r) A" `( s) j. a7 d, I( A類似錯誤( }" R5 g* b) k- \4 G* A. g% g2 q% z7 L0 _

% }6 K+ S$ [% W7 G+ z( y/ |8 g( R9 }0 P! n0 T
' Z7 {9 a0 `( o: Q5 S6 g: D( C" o4 Z
+ J) L& u. `. j. ?* a
1。因為標錯誤的圖示實在找不到,無從下手,都在亂猜,所以上來請益,
2 B2 b6 t& @" w( N2 k/ ^希望可以指出我錯誤的地方跟改錯方法?
) q2 a, [% j- E6 Yex. diffusion :gate 的寬度不能小於0.32 之類的
5 b5 V. T5 i" B4 V- t; r2。是否有專業解說DRC error的網站?可以提供給小弟精進,還是一切
0 ^8 k. T. D+ [  L: w都是憑經驗
* s; ]' X( A% r: I+ q5 H4 l4 y0 j* M* a
初次發問,得罪的地方,請多多指教。
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2#
發表於 2008-5-14 16:14:06 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

1.是OD外圍要圍n implant or p implant) y& i( h  r% m. G
2.是左右MT1 extension co 需0.0um
; {# L7 B4 b  B" G% T3.是Poly area 要大於14% (就把他話大超過14%就可以了)
7 x- r7 L2 P: ]8 `& N0 ]8 o9 k我覺得應該釋這樣解釋!!
3#
發表於 2008-5-14 19:05:42 | 只看該作者
建議您可以先去看一下IC製程的流程
7 Z) `$ Z! j9 ]7 `- n3 M! X" N: S. f6 _: v
這樣子在Layout 時會比較有感覺
4#
發表於 2008-5-14 19:26:12 | 只看該作者
撱箄降���foundary撱��靘��design rules paper憒�迨�冽�error���瘥�����閬�
5#
發表於 2008-5-15 03:10:27 | 只看該作者
感覺您mos是自己建的?& Z; \' f+ F5 {8 M5 I& z- W
第三個coverage 可以忽略
. I- X4 U- d& |1 P! s4 t8 A) R要下線時再解決即可
6 A2 m" J$ }3 `
( R- ?1 O! y: ~laker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能...
/ g9 ~6 m) u2 r應該是說,這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了
6#
 樓主| 發表於 2008-5-15 04:45:40 | 只看該作者
原帖由 Shouwei 於 2008-5-15 03:10 AM 發表 & H+ C; O" ^8 i9 i/ R+ Y0 g/ m
感覺您mos是自己建的?- q! M( M+ Y) |0 S, u0 w% R& p
第三個coverage 可以忽略
0 q: ?" P& e( R9 {. d5 B. T要下線時再解決即可5 \0 c  g  g) B

+ D2 @' {9 @" n3 D; r7 n, p! ]laker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能...
7 w6 K3 I$ K8 _( b應該是說,這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了

3 Z  X+ j( |2 o* e% Z: A  E
& y6 m- v- o/ b. ]3 W+ Q! e% b' ]7 h' x; C1 f/ F. Z
mos 我是用模組,create -> trainsistor -> pMos 1.8V 這樣' M' K: A5 g+ }/ c! `
0.18 um 我不曉得是不是 poly的寬度 。他有預設0.18 um; e5 E, r8 n( N" k3 n
感謝你的回答,我又多了一個try的機會,往正確的道路行走。
7#
發表於 2008-5-15 08:41:50 | 只看該作者
是呀,點18製程,當然poly預設就是最短的length,0.18um' B  y  [3 @% E% Q" }2 Y
=============================================- J9 W$ t6 B. l) l0 X# z) s
今天cic 有開放線上e-learning! V- u6 }! _) O- p3 O! H! ?3 E
趕快詢問您們lab的管理員5 V4 V. M3 B- P
看有沒有開權限給您(要先加入cic會員)7 {) F$ V) [1 Q! p% {
裡面有教laker、full custom design concept, c/ [0 T5 H' F/ j
亦有hspice,都有一些不錯的技巧- u) i2 L( A2 a+ h" H/ |
要趕快報名唷,晚了就向隅了,呵呵
8#
發表於 2008-5-16 18:57:47 | 只看該作者
建議看foundary廠的DRC paper,這樣在找error時會比較有感覺。
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