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[問題求助] 有關於hi V製程

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1#
發表於 2007-11-1 01:31:32 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位學長姐好
# p" H) H. {) `- c
; z0 c" v3 R  U: d/ q& K& N) B在最近剛要踏入IC Layout 的工作,但公司屬於高壓製程,所畫的圖百分之八十也是屬於analog,但是我上的課程裡是屬於較基本,製程
7 n+ u$ o6 ]$ X9 ^: l' W: x9 J
6 B3 r$ X) B' Q! W+ a3 B也是0.18,公司屬於0.6。在沒有接觸過的情形下想要先在版上先問問各位學長姐們,有沒有一些我在畫大電壓的的同時我需注意的一些地方,% K- x$ S" x: C% |' ?6 ?9 w: v" i

# h* Q+ T  h# U$ i+ T在工作時拖累一個團隊是我最不喜歡的工作態度,所以真的要麻煩各位學長姐了,先給個方向,讓我可以先準備,投入職場時先有個準備+ U8 m( s& s- D; |7 [

4 W9 v- T3 y, g$ T) {/ S還有一個就是屬於guard ring的部份,guard ring到底是防止Latch up 還是阻絕Noise 還有板上有沒有人畫過三層guard ring的,可以1 ~0 ~. {" P5 w# p

) j- @/ G9 M% |- x; g說明一下三層guard ring大概的圖層嗎( b% I( I' \% Y( t
  i3 J3 Q  R2 ]9 R
謝謝各位學長姐了
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2#
發表於 2007-11-1 10:01:44 | 只看該作者
我建議先把Design rule看熟,其實裡面就有許多小問題,在提出來詢問會比較有效率
0 U( B2 q( s4 K0 t' j# j/ ]# |- `
9 ]* G1 |& T4 _# i. N2 Qguard ring 是阻絕Noise 
3 s! i/ ~( E5 G$ R: `! C
3 H1 _" Y$ r, p3 @一般2層就很多了,3層你可以跟Designer討論,一般Analog部分是要跟Designer互相討論才知道需求在哪
3#
發表於 2007-11-1 14:16:56 | 只看該作者
關於guard ring,應該是防latch up跟抗雜訊都有,我聽過2個designer說法) S0 Y5 H4 ^$ H4 ?
一個的說法是,由於mos在動作時會有一些電子電洞之類的東西,游離出來
; w9 t& B3 O' V" },包guard ring的目的,就是以相反的型態去吸收那些電子電洞,( V- J% v  x: |9 N1 W/ v8 w" t
一個說法是mos跟guard ring的架構,會形成一些pn介面,變成類似diode或7 o" Q: s) b+ R) Z) Q1 A
bjt的元件,不過它的等效電路圖,我不太會畫.. n) j. b$ Y6 p# W# A5 z$ R6 c, D
以上是2個designer的說法,如果有誤,還請先進指教.
4#
發表於 2007-11-1 21:06:09 | 只看該作者
这两个作用都有,: @9 k0 d) w$ F- w6 R
那个图我也不知道要用什么话,不过拉扎维的那本analog design 上好像有讲,' }4 P" Z; V. O; S. t/ S
楼主如果很想知道,可以看看那本书
5#
 樓主| 發表於 2007-11-2 00:03:58 | 只看該作者
謝謝學長的回應囉,不過我也是在等工作時拿到Design Rule 拿到在來看看自己是否有什麼問題
6#
發表於 2007-11-2 10:10:14 | 只看該作者
高壓要注意NBL這個LAYER,有ISO_NMOS要特別注意畫法,
) t9 V) o& }  Y, I高壓的NMOS以及低壓NMOS各有不同,06U12V嗎?建議你可0 ^( p9 B. a/ m4 q
以調你們公司以前出過相同製程的案子來做參考,這樣就不會2 b7 O& |4 p- e& R0 P: R
那麼有疑慮了,DOUBLE GUARDRING就夠了。
4 j& E8 i* c) D5 g忘了說,若是非對稱的高壓DEVICE要注意製程偏移問題。
7#
 樓主| 發表於 2007-11-3 00:10:45 | 只看該作者
HI v製程有沒有可以邊畫邊學的電路,一直有人說畫OP會遇到很多的問題
* w  y: ?* h. d1 I8 n
5 x2 Q: k5 \8 _可以在問題中學習,但是HI V 是不是也是一樣畫畫OP哩,還是有其他的電路
# A. X+ ]. o' G. Q+ u6 ~6 S; `
可以邊做邊學。
. L0 T" \6 ?# Q! c) k; d0 O, c" h* [6 |7 A  d- ]
謝謝學長的幫助
8#
發表於 2007-11-3 07:07:46 | 只看該作者
analog circuit不是只有OP喔,廣義而言只要是信號連續時間(非digital)的變化,就算是analog的一種。: g0 l$ p1 F, c8 q1 Y5 S- `' d+ o

/ m8 {! M" r5 R8 `& Y9 N6 R至於high voltage是指device(如 Capacitor、Diode、NMOS、PMON.....)為high volage製成,非只是有OP circuit。
9#
發表於 2007-11-5 19:41:14 | 只看該作者
latch up會造成等效於SCR,guard ring這些作用都有,但是是不太一樣的東西,也要製程有提供那麼多層。0 j& {; Y0 V0 g2 Z) D1 i( ~
. D9 L+ J8 w+ b7 d
mos動作的時候產生少數電子電洞這算是少數載子也就是漏電流吧?不知道是否高壓的雜訊與普通類比的相同,低頻雜訊我所知道的除了white noise以外,flick noise主要是由於電子在通道表面那邊產生的東西。圈起來主要是怕被其他地方影響到,對於該區域而言其他地方來的不明訊號就是雜訊吧?不過畫多層點至少可以防止電壓去擊穿跑到別地方去。
! ~+ h/ J# D- Y. p; k+ p8 m. \
& E- b  }5 b. K: r0 D, c3 P[ 本帖最後由 ianme 於 2007-11-5 07:45 PM 編輯 ]
10#
發表於 2008-3-27 15:05:20 | 只看該作者
guard ring 通常用來隔絕noise ,但是如果使用在一個mos上做guard ring 又當sub點的話又可達到防止latch up
% n. E. u4 P: b5 M7 l要看layout 時運用了,但是用太多又會佔很多面積哦,這是要考量的
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