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[問題求助] 有關於hi V製程

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1#
發表於 2007-11-1 01:31:32 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位學長姐好
! t5 `* a3 p  n% {; E2 B6 k& [5 X  \& V+ D3 t" b% u  S- c+ c. _
在最近剛要踏入IC Layout 的工作,但公司屬於高壓製程,所畫的圖百分之八十也是屬於analog,但是我上的課程裡是屬於較基本,製程
+ d% `! N: M6 d/ n9 x: D* ?% Y+ p' B: e* v& u
也是0.18,公司屬於0.6。在沒有接觸過的情形下想要先在版上先問問各位學長姐們,有沒有一些我在畫大電壓的的同時我需注意的一些地方,  a0 z. S/ S- H9 }+ M) {! R
; }  O# J0 V  M# N) b
在工作時拖累一個團隊是我最不喜歡的工作態度,所以真的要麻煩各位學長姐了,先給個方向,讓我可以先準備,投入職場時先有個準備9 P( k0 `, l2 q0 ?+ W% w7 Z3 _

$ j* d/ S& [, R, }. m" K8 Y" M; d7 T0 h還有一個就是屬於guard ring的部份,guard ring到底是防止Latch up 還是阻絕Noise 還有板上有沒有人畫過三層guard ring的,可以7 E2 L1 B* [- l5 W3 e

) ]! {+ W: {- d說明一下三層guard ring大概的圖層嗎) @! o. Z! f1 m' x7 d
# C5 v3 M4 `# ?- J9 x! w2 I5 K  b( D' G
謝謝各位學長姐了
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2#
發表於 2007-11-1 10:01:44 | 只看該作者
我建議先把Design rule看熟,其實裡面就有許多小問題,在提出來詢問會比較有效率
* z3 {8 b4 m3 l* i: I/ R
! K7 k7 @: K7 ~; N( H2 O0 u. B8 _; M$ Bguard ring 是阻絕Noise 
+ R% I7 i! t' T
2 `- L6 b3 p% a. k2 ?3 N/ Q一般2層就很多了,3層你可以跟Designer討論,一般Analog部分是要跟Designer互相討論才知道需求在哪
3#
發表於 2007-11-1 14:16:56 | 只看該作者
關於guard ring,應該是防latch up跟抗雜訊都有,我聽過2個designer說法6 @+ i# T+ y1 z, U4 K+ a+ F4 v
一個的說法是,由於mos在動作時會有一些電子電洞之類的東西,游離出來
8 q) n2 Y7 m* J1 R,包guard ring的目的,就是以相反的型態去吸收那些電子電洞,
+ V2 [$ ~/ }* W% G) p0 F4 Y一個說法是mos跟guard ring的架構,會形成一些pn介面,變成類似diode或
/ G2 [7 A( h. D' o7 X2 [bjt的元件,不過它的等效電路圖,我不太會畫.
4 Y0 o" S* O: e8 ]2 H  h以上是2個designer的說法,如果有誤,還請先進指教.
4#
發表於 2007-11-1 21:06:09 | 只看該作者
这两个作用都有,6 D: Z+ k( s7 Y- P( J$ U. a0 ?9 N
那个图我也不知道要用什么话,不过拉扎维的那本analog design 上好像有讲,
0 m/ A7 V/ g& n% G0 v2 w3 m- P楼主如果很想知道,可以看看那本书
5#
 樓主| 發表於 2007-11-2 00:03:58 | 只看該作者
謝謝學長的回應囉,不過我也是在等工作時拿到Design Rule 拿到在來看看自己是否有什麼問題
6#
發表於 2007-11-2 10:10:14 | 只看該作者
高壓要注意NBL這個LAYER,有ISO_NMOS要特別注意畫法,
* a; B* ?2 ~6 R9 o9 q9 O高壓的NMOS以及低壓NMOS各有不同,06U12V嗎?建議你可
" o! t" O3 T+ U+ a  y1 D  M以調你們公司以前出過相同製程的案子來做參考,這樣就不會
5 Q/ l0 @" \( b3 M2 C  E) D那麼有疑慮了,DOUBLE GUARDRING就夠了。7 {; A3 Z% |/ v2 V
忘了說,若是非對稱的高壓DEVICE要注意製程偏移問題。
7#
 樓主| 發表於 2007-11-3 00:10:45 | 只看該作者
HI v製程有沒有可以邊畫邊學的電路,一直有人說畫OP會遇到很多的問題3 i) O# n0 @  ~# v

" {; N: h- x8 k可以在問題中學習,但是HI V 是不是也是一樣畫畫OP哩,還是有其他的電路& j) _0 ]6 H: H$ V, \* x+ L

- w7 P) c7 v2 l9 Y$ s# ~可以邊做邊學。5 T6 _5 F5 O; W& w+ i# p

+ x' Z0 C! c. L# R謝謝學長的幫助
8#
發表於 2007-11-3 07:07:46 | 只看該作者
analog circuit不是只有OP喔,廣義而言只要是信號連續時間(非digital)的變化,就算是analog的一種。) a6 i4 w- Z. }, R
0 T( D; z  n9 _) F6 W2 r
至於high voltage是指device(如 Capacitor、Diode、NMOS、PMON.....)為high volage製成,非只是有OP circuit。
9#
發表於 2007-11-5 19:41:14 | 只看該作者
latch up會造成等效於SCR,guard ring這些作用都有,但是是不太一樣的東西,也要製程有提供那麼多層。% k" D4 j; I7 T1 z1 ]. C
# C( u& {& Z" V
mos動作的時候產生少數電子電洞這算是少數載子也就是漏電流吧?不知道是否高壓的雜訊與普通類比的相同,低頻雜訊我所知道的除了white noise以外,flick noise主要是由於電子在通道表面那邊產生的東西。圈起來主要是怕被其他地方影響到,對於該區域而言其他地方來的不明訊號就是雜訊吧?不過畫多層點至少可以防止電壓去擊穿跑到別地方去。: s0 X9 j* C1 x6 u- D( |, F

/ C3 ], o" ~% d8 B) y[ 本帖最後由 ianme 於 2007-11-5 07:45 PM 編輯 ]
10#
發表於 2008-3-27 15:05:20 | 只看該作者
guard ring 通常用來隔絕noise ,但是如果使用在一個mos上做guard ring 又當sub點的話又可達到防止latch up
& {/ l, P% |5 k- A; S要看layout 時運用了,但是用太多又會佔很多面積哦,這是要考量的
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