op單級放大器layout之問題？

shihchia

前幾天Layout　op的電路，在DRC執行時，發現錯誤訊息
9 W2 T' \! y# s! C' a) k5 m& O! c也問過我們學校的助教們
% @: b/ q. x( F! ^但重新依照他們的指式在畫過
8 Y( ^3 x/ C* w* V! o7 \, ^2 p/ |
依然還是一樣的錯誤訊息！

9 O/ H+ s# ?5 Q! y. A! I# H  @3 ALATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
% |! X  h3 `; j5 [2 h這個問題一直指ｎｍｏｓ的那顆電晶體的問題
9 t( a" Q. ^) N! W( v1 `7 d我也問過其他老師、他說要拉超過20um
9 S- R5 r) E6 b+ J1 n但我不清楚、是要拉ｎｍｏｓ與電源的長度要超過２０um嗎

類比電路果然難理解

希望大家能幫幫我的忙唄！！！

m851055

其實很簡單就是，就是P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD   間距   要有20um以上。
在錯誤訊息已經很清楚說是space了。try看看吧。我覺得你的教授可能誤解了，或看錯了。

m851055

try 看看畫20um的間距，如果不行在做討論...........。

shihchia

P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD
  g5 B4 O( u/ _
7 j% [; V0 d$ F7 [6 p, H這個我有點看不懂是什麼意思！
可以在詳細講明白一點嗎!!!
- n: Y% T8 C5 h$ W( M) S
' H5 p& B3 i7 @8 }2 FOD是什麼意思？
5 q# H7 Q* |( ]0 T2 D6 I8 dP-well不是nmos的p基體嗎？

不好意思！現在還是初學者、所以有一些專有術語看不懂!!!

egg

這條是check latch-up的drc rule
是說你的NMOS在20um內必須要有body_contact(subtract_contact)
' q1 t1 ]# F' i  L+ I. m/ N' s20um半徑圓內打幾顆P+_contact
- T0 ?; m/ _# L7 g就會解掉這條了

m851055

OD=Active=Diffusion
- q% E* n- {5 B6 e) q7 u5 A
在NMOS半徑20um以內畫上，P+ OD(P+ &  Active)就好了。

motofatfat

應該是body or base 離的太遠
要在20UM內 以PMOS 而言 在NWELL 內
加 N+DIFF ㄉ地方
: t; z/ }0 g' W+ c5 g1 I
' ^9 d) H# w# C( Z以NMOS 而言 即是 P+DIFF ㄉ地方

skeepy

LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
1 n" s, [" t9 ?' y3 H4 b/ a就說明要小於20um了，怎麼會要拉超過呢？
/ v4 r( ~5 ~) O, ]3 x' q簡單而言就是pmos用n+ring圍起來，nmos用p+ring圍起來是最保險的。

tubaaa3210

表示你的BULK   OD  離 MOS OD 超過20UM
  V1 l& I# U" g4 F: O& D5 W但是BULK上面一定要打CON. 且MOS OD上也是要打CON.
這就是樓上說的LATCH-UP的問題

yoyo20701

嗯~~~多謝大大講解的那麼清楚~~讓我這個門外漢~~~有更一層的了解