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[問題求助] 請教nmos in nwell的問題

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1#
發表於 2007-11-16 11:08:03 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
這顆NMOS用n guard ring圈起來,這樣的nmos,是屬於可變
" q  A+ i8 R& t1 {8 K電容嗎?使用calibre的command file,台積0.18製程,
* a- e" X$ X3 dnetlist file中那個model name是用 n表示,這model name
: _$ e5 o$ n5 r% _( F5 D  Q是否有問題.7 V/ K& e6 ~% y0 T! Q3 ?
ps. 1  error report是  ' A. }* n) H# p& s. a: a
******************************************************************************
  w) `) H0 I- E                                 INCORRECT INSTANCES
/ d$ m, V* o8 w& d# J) s) O" ~  R, n2 }* x. s
DISC#  LAYOUT NAME                                           ne  SOURCE NAME+ E5 f$ o/ ^8 Z* i
*******************************************************************************
% T* E  x8 i3 ?/ p# D' h, g
  U( q1 ]0 t2 X' E: K9 e9 W, ~  1    ** missing instance **                                    MC  MN(N)+ Z% l* x2 Y6 O9 T
& |- d; {$ b" v& P. K* Z$ o9 f
只有這樣,然後只說nmos有差一個,就沒其他解釋
9 m- [0 h0 M4 m) ^3 }
% j$ f: W* A6 `( ?" |" Bps.2 在另外一個版本中,也有同樣的東西,但是lvs卻抓得到,2個版本只有差在.tf檔不同版,
  |  i3 `. O3 N     會是tf檔的差異嗎?(目前找不到其他差異)
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2#
發表於 2007-11-18 06:14:51 | 只看該作者
從你的PS上猜測* i% M/ X( w! K& f5 F6 A
應該是device name對不到,檢查看看netlist的device name,如果是就修改LVS command files就好了。
3#
發表於 2007-11-19 09:46:06 | 只看該作者
如此結構不能說是  NMOS  只能說是 Capacitor!!) U! I0 R% ~6 K, y) f
所以  不能以  NMOS 建圖!!
4#
 樓主| 發表於 2007-11-19 17:34:48 | 只看該作者
因為這個東西最原始的是投x芯的製程,將其轉為台積後,
& Z/ u" ?2 e& [, O) Y! B卻不知道像這種型態的moscap,在台積是否有效.
  r! L' i8 f8 ]( B7 Y1 l所有相對應的layer都是正確的,對calibre的command file8 f) p3 K( d, n7 l4 o0 p9 A
不是很熟悉,不曉得像這種在nwell內做nmos還圍上n diffusion
1 G  f; @6 h! |+ ~guard ring的mos,command file會不會將它視為dummy cell,& j% R& |; K3 K& A$ M& k! Q
而去忽略它.所以會有上面error report的情形,像layout少一顆mos
; g% d; Q* \- J0 ]7 v( l+ L8 D的樣子.又或者model name的問題,還是說要蓋一層layer讓- Y  i$ p+ [, \  ]; f3 F2 ?' c
command去認它.
5#
 樓主| 發表於 2007-11-20 12:01:43 | 只看該作者
從pdk中去找相似的type,發現台積0.18製程沒有這樣的
& D! Y3 T, f! t東西,有一個比較類似的是mos_var,但是它的guard ring7 ]$ A+ Z7 P# v* E! d
是p diffusion,找它的command file,也沒有mos_var這個
' ~4 |6 ^2 Z3 w. |東西.所以現在device name還不知道要怎麼給.
$ t3 d* h$ ~6 y0 ?3 I, y另外關於上面ps2中提到舊版本為什麼會過,我發現前面的1 P5 h% J6 W4 _
人在那棵mos旁邊並聯一個同樣的mos,只是改成一般型態
! p3 `# g( D; }( ^) j2 y所以lvs會抓新的那個,舊的當成沒有這顆mos.
6#
發表於 2007-11-20 15:47:30 | 只看該作者
原則上  這個電容是可以用的!!7 ?! a6 `/ r1 `/ h) p; q6 z
加上一個 dummy layer 把它定義成電容就可以說!!  l0 t" x0 q  B
這個電容有許多人用過!!* c; N7 v# U8 S% t. l% N
早期沒有 Double poly 電容的時候!!  有相當多的人在用!!
7#
 樓主| 發表於 2007-11-21 10:33:05 | 只看該作者
基本上command flie的描述是這樣
8 n8 I7 p/ i( x( i& D* VARGT = OD * POLY1 * NIMP * NWELL * VARDMY
0 u0 b) b0 ]1 Z: J; [$ e* U, W- onmoscap        1.8V NMOS Varactor      (VARGT-OD2-RFDUMMY-RFDUMMY1)
4 @4 Q9 K- k8 w5 |9 ^/ h這樣的描述與上述的moscap只差一個p或n的guard ring,那我device name用
4 R' E) \% D4 j9 t/ R- ["nmoscap",這樣是否可以.8 F$ Q- {9 }9 y  D3 z
我在netlist file上這樣描述,
" c; w* r5 N) f; l. F9 MXMC1 VCMIN REFM nmoscap Lr=5U Wr=620U mr=1, P% N# l( ?9 L! m( w
然後在netlist file中,INCLUDE 一個source_added,這個file中有nmoscap的格式& J3 K1 }3 F; Y  t1 l9 i* g* w
這樣做是否正確,事實上還是有問題,只是搞不懂問題出在那.
8#
 樓主| 發表於 2007-11-22 14:00:20 | 只看該作者
謝謝各位的幫忙,在修改netlist以及layout,已經順利解決
. J: q# Z+ ^2 v3 R+ P" n這個問題.
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