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[問題求助] 請教nmos in nwell的問題

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1#
發表於 2007-11-16 11:08:03 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
這顆NMOS用n guard ring圈起來,這樣的nmos,是屬於可變" X# ?2 r# A7 `( J' E- e- z. @
電容嗎?使用calibre的command file,台積0.18製程,
  ~1 j! |/ g. Y) Q# Jnetlist file中那個model name是用 n表示,這model name  F" B: n$ ]& S! V1 M/ O* ]* r; P  D( a
是否有問題.
' R8 A- \) E* }, O& Q' g2 zps. 1  error report是  
# e2 P4 o4 B% |, y5 P******************************************************************************
) q. I2 y& M. l! ?( w" |* H  O                                 INCORRECT INSTANCES/ L7 d. _, e+ S7 A4 h; t# k

# Q( C6 @) x3 z4 h# FDISC#  LAYOUT NAME                                           ne  SOURCE NAME5 X( }( ]5 u& ^9 z1 M, u' o* G: `
*******************************************************************************
8 C- j/ ^- p& X9 P# C. m8 v0 f7 `' _" s& K. W/ h
  1    ** missing instance **                                    MC  MN(N)
$ w- T. E6 S/ u( i" {& h: J: A8 D2 q3 ~/ a4 y0 U
只有這樣,然後只說nmos有差一個,就沒其他解釋
/ b# n  U, P: K+ k# Y! r" M( l6 ]/ B4 h. C1 u
ps.2 在另外一個版本中,也有同樣的東西,但是lvs卻抓得到,2個版本只有差在.tf檔不同版,: m& y; ~7 K! O$ v, [9 ~0 U
     會是tf檔的差異嗎?(目前找不到其他差異)
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2#
發表於 2007-11-18 06:14:51 | 只看該作者
從你的PS上猜測
: r- O6 A7 c# @* G) u9 `- O應該是device name對不到,檢查看看netlist的device name,如果是就修改LVS command files就好了。
3#
發表於 2007-11-19 09:46:06 | 只看該作者
如此結構不能說是  NMOS  只能說是 Capacitor!!
. ?8 D# P6 @3 N; W' p所以  不能以  NMOS 建圖!!
4#
 樓主| 發表於 2007-11-19 17:34:48 | 只看該作者
因為這個東西最原始的是投x芯的製程,將其轉為台積後,2 N5 n( j6 l/ P) y0 ~# @' L. d4 K
卻不知道像這種型態的moscap,在台積是否有效.
# i* F; L$ N6 v8 f0 @* A$ E; a1 D所有相對應的layer都是正確的,對calibre的command file
6 F' y5 \9 P" x; z) A不是很熟悉,不曉得像這種在nwell內做nmos還圍上n diffusion8 n( k/ G5 N* m/ [
guard ring的mos,command file會不會將它視為dummy cell,
: g! E# P$ P) V" X& Q! ~' ~而去忽略它.所以會有上面error report的情形,像layout少一顆mos/ R! }. y7 Y0 H; d% [4 M
的樣子.又或者model name的問題,還是說要蓋一層layer讓+ S. B* p( L; c4 Z8 Z
command去認它.
5#
 樓主| 發表於 2007-11-20 12:01:43 | 只看該作者
從pdk中去找相似的type,發現台積0.18製程沒有這樣的! a( o- P% o6 h0 g" t0 M
東西,有一個比較類似的是mos_var,但是它的guard ring( Q) ?% F5 J6 p4 U$ u7 [1 }
是p diffusion,找它的command file,也沒有mos_var這個
3 G3 x% U. H) B; b' W1 q東西.所以現在device name還不知道要怎麼給.
. ]1 i) C, u) A6 z4 B! @  R: y另外關於上面ps2中提到舊版本為什麼會過,我發現前面的
" {  x! x! E1 r, ?0 q人在那棵mos旁邊並聯一個同樣的mos,只是改成一般型態
6 D; O% k' r. P! S+ P所以lvs會抓新的那個,舊的當成沒有這顆mos.
6#
發表於 2007-11-20 15:47:30 | 只看該作者
原則上  這個電容是可以用的!!- ]3 c  }$ u( u4 B" t- p6 `: F# D3 c' `
加上一個 dummy layer 把它定義成電容就可以說!!$ w5 k. b: T; e' J7 F
這個電容有許多人用過!!
8 {3 ]* ^2 X9 p9 D$ Q早期沒有 Double poly 電容的時候!!  有相當多的人在用!!
7#
 樓主| 發表於 2007-11-21 10:33:05 | 只看該作者
基本上command flie的描述是這樣5 f& \0 x1 g% Z8 H4 {: x# Z
* VARGT = OD * POLY1 * NIMP * NWELL * VARDMY
' {- P& R' ^6 \5 i: c8 anmoscap        1.8V NMOS Varactor      (VARGT-OD2-RFDUMMY-RFDUMMY1)
4 F3 K0 X/ U. d& ^這樣的描述與上述的moscap只差一個p或n的guard ring,那我device name用8 f4 u, W4 w2 t9 v/ E, G; |: Y
"nmoscap",這樣是否可以.
7 i7 C9 U% j  w' Z我在netlist file上這樣描述,3 Z2 v1 @- k) m9 n% L$ \
XMC1 VCMIN REFM nmoscap Lr=5U Wr=620U mr=1
. c$ v9 _0 }5 V+ S5 W+ p+ i; O! u: K然後在netlist file中,INCLUDE 一個source_added,這個file中有nmoscap的格式
. E. e' K; [  `- D. U) D0 z這樣做是否正確,事實上還是有問題,只是搞不懂問題出在那.
8#
 樓主| 發表於 2007-11-22 14:00:20 | 只看該作者
謝謝各位的幫忙,在修改netlist以及layout,已經順利解決
( \' ~7 G5 y, M. l這個問題.
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