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[問題求助] 請問Via小問題

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1#
發表於 2007-11-21 00:32:54 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
之前有一位Designer說要求不要把MOS上的Via打滿,因為會造成寄生電容(Drain to Source),
8 `3 ]" l. ?, c+ j% [不過我覺得MOS的contact要打滿才能降低Resistance;且能將電流均勻流進Drain and Source, 6 A& l" e" _' z2 S* i8 d- s* }" g( }
不過Via不打滿電流不就無法均勻流進MOS嗎,希望前輩提供經驗或看法。
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2#
發表於 2007-11-22 17:53:16 | 只看該作者
基本上寄生電容的產生,不是各layer上下左右以及面積距離的# L9 K  g8 @* W" `9 i% C: F$ R
關係嗎?(就我粗淺的了解),你可以直接問你們designer,這是
7 J3 I! u( B4 B3 N3 F! V基於什麼原理,我也很想知道.
3#
發表於 2007-11-28 09:37:43 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

contact 是指連接到metal 1 的  你說ㄉ via 應該是 連接m1 m2ㄉ- V. W6 [4 o. R7 e4 M5 v9 `
如果這樣就還好 ,via 打一個就有效ㄌ
4#
 樓主| 發表於 2007-11-29 09:54:46 | 只看該作者
類比電路的MOS contactS 要打滿, 這是確定的
, @* y; v# e3 P: t2 |VIA1就不用打滿,一次打兩個VIA1既可,兩個打上面(S),兩個打下面(D),這樣就很平均了 ! G- M, n2 b3 n9 f1 P# z
電流幾個 uA級的 MOS , 一個 VIA1就好,要良率好,那就用兩個 VIA1
1 c8 w" T, |) o  D- U+ O% n* }- |1 P3 J( \% A# k8 g
打太多,工時長,又不好跑線,以後改版也麻煩
8 E" `6 p/ z% F4 }8 x打太多,並聯可降低電阻,卻增加電容,
: I* |7 |5 Z( [- ~# P, A; m) ~; G8 ^) H' u' c% Y
要流大電流,就要算 via 顆數,和 metal 寬度 , `" }: Y# Q7 X# K! H
via 陣列過大(用min. space) ,製程也不好.
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