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[問題求助] 請問Via小問題

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1#
發表於 2007-11-21 00:32:54 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
之前有一位Designer說要求不要把MOS上的Via打滿,因為會造成寄生電容(Drain to Source),
' I2 [! y  k4 h7 G5 `不過我覺得MOS的contact要打滿才能降低Resistance;且能將電流均勻流進Drain and Source, 0 r. R4 [5 q# [4 p+ j
不過Via不打滿電流不就無法均勻流進MOS嗎,希望前輩提供經驗或看法。
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2#
發表於 2007-11-22 17:53:16 | 只看該作者
基本上寄生電容的產生,不是各layer上下左右以及面積距離的
! [& B: _/ b1 I4 y3 w% Q- X關係嗎?(就我粗淺的了解),你可以直接問你們designer,這是1 x+ Q7 U' R' k, Q. q% C
基於什麼原理,我也很想知道.
3#
發表於 2007-11-28 09:37:43 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

contact 是指連接到metal 1 的  你說ㄉ via 應該是 連接m1 m2ㄉ, y4 Z4 l/ u3 W. h! z
如果這樣就還好 ,via 打一個就有效ㄌ
4#
 樓主| 發表於 2007-11-29 09:54:46 | 只看該作者
類比電路的MOS contactS 要打滿, 這是確定的 ' v( a$ g/ @: R$ ?
VIA1就不用打滿,一次打兩個VIA1既可,兩個打上面(S),兩個打下面(D),這樣就很平均了
% G3 x' I. I( J+ Z$ c電流幾個 uA級的 MOS , 一個 VIA1就好,要良率好,那就用兩個 VIA1
8 u' N! ?; ^+ w' @9 V- b/ M; {( K4 G
; c4 M9 n# k; \4 i5 H打太多,工時長,又不好跑線,以後改版也麻煩 5 t* N# e9 Z5 H# }( c+ a
打太多,並聯可降低電阻,卻增加電容, , t! N2 O/ y9 Y- G7 O0 [3 v/ H9 E

! g' g9 K% b& E$ K" @; H要流大電流,就要算 via 顆數,和 metal 寬度
5 k: u, l# P) z+ R& W( O" mvia 陣列過大(用min. space) ,製程也不好.
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