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[問題求助] 如何選擇ESD Device Contact Type?

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1#
發表於 2011-12-29 17:10:38 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 CHIP321 於 2011-12-29 05:17 PM 編輯 # ?8 F# B/ U2 n
$ @; [; L' E6 K" k* U/ |8 A

  _) s/ R5 ]  ]9 v3 `$ T+ ~近來遇到了由於Contact導致電流密度不一緻的問題。
2 `3 x/ Z* q8 y% S& D查找了過去的一些Bipolar高壓片,發現很多使用的是長條矩形Cont或者Cont Ring,貌似應當有不錯的均勻性。' [" J9 ?- X4 T' x, U
但是咨詢了一些同仁,認爲 使用標準Cont Matrix會更均勻。、
, N$ H( P: q% z+ X7 c+ B0 K1 D4 O迷惑中....
: l# O" o+ c2 I/ m+ Y  k9 z3 e如果不考慮CMP製程限制,那種方法更有效些呢?2 s4 k3 e) X6 S, X' Z/ {

  C5 O( G! @6 h0 W

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2#
發表於 2012-1-31 11:31:28 | 只看該作者
這個問題也困擾我很久, 不知有前輩可以解答嗎?/ Q! h: r8 l4 I  ]9 i
( B& l+ B* {9 g1 G- L* }2 g, J
個人經驗, 有些製程有效, 不過可能要考慮parasitic path,) H+ ~0 ~5 Q$ z7 s1 Q+ y
有些製程則使用contact matrix即可, 還有要考慮processs能力,
0 D( e# ]7 y9 {  o有些製程slit contact可能form不好, 造成ESD robustness unstable,
( S: L- Q- E( l( V* ^5 S$ U, G  D這也是現實上要考量的.
( r+ g- t! j8 `: e/ K
6 f5 D" d) Y" n! w. J) m一般而言如要高效能ESD ability還是選用ESD circuit來保護比較safe! D$ j$ g+ W# t9 ]
不過有專利問題,這方面可能又要取捨了.
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