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[問題求助] 如何選擇ESD Device Contact Type?

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1#
發表於 2011-12-29 17:10:38 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 CHIP321 於 2011-12-29 05:17 PM 編輯
4 @# T! M9 R6 o$ G8 ?! r, M' U& o7 z, k, U. G
- P& Q1 Q8 z+ m, c% ^/ h
近來遇到了由於Contact導致電流密度不一緻的問題。
3 t/ L" T8 z1 ~7 T* t查找了過去的一些Bipolar高壓片,發現很多使用的是長條矩形Cont或者Cont Ring,貌似應當有不錯的均勻性。
; r- H$ _9 S, ?2 G! [8 w1 E但是咨詢了一些同仁,認爲 使用標準Cont Matrix會更均勻。、& }2 t2 B- B# o# w
迷惑中....( b8 k% J/ V' q! F/ S9 W$ i
如果不考慮CMP製程限制,那種方法更有效些呢?
8 Q% A$ D, W: `$ z" W
" N7 v* D" I" F, p) Q2 ~

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2#
發表於 2012-1-31 11:31:28 | 只看該作者
這個問題也困擾我很久, 不知有前輩可以解答嗎?
! ^% s0 U- T8 ]7 ?, L. s/ ?, S( d/ H3 n1 w5 Q( j
個人經驗, 有些製程有效, 不過可能要考慮parasitic path,6 G- @% u4 `  K1 L6 _
有些製程則使用contact matrix即可, 還有要考慮processs能力,! X9 w0 q+ W( U0 Y$ m8 u
有些製程slit contact可能form不好, 造成ESD robustness unstable,
$ ]$ w' ^1 s, q這也是現實上要考量的.
' M5 E% }; S' ~2 w! G  G1 _2 T3 C4 Y9 v: ?
一般而言如要高效能ESD ability還是選用ESD circuit來保護比較safe
; o' k) h1 Z8 `( Q7 ^" @% W$ A不過有專利問題,這方面可能又要取捨了.
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