請問一下Guard ring要怎麼畫

alsama3612

小弟我是用virtuso畫...沒有畫過guard ring
可以請知道的人幫忙一下...交一下小弟^^"

bairshinyuan

在此先簡稱Guard Ring為GR，
: s8 J/ K/ A% _5 m+ |$ L+ i, s畫GR的方式就是在MOS電晶體外圍打上一層metel+cont+diff以及np or pp
如果是NMOS就打PGR，PMOS就打NGR
所謂NGR和PGR就是指np 和pp的選擇，
NGR就是metel+cont+diff+np，
( B- O" E) z) Y& j- ^. a3 n6 r2 ~PGR就是metel+cont+diff+pp，
要注意的是GR必須把MOS電晶體整個圍住，
GR的目的主要在降低雜訊干擾

ninesky

Double Guardring 就是在原有的Guardring外圍
再圍上一層不同implant的Guardring
; g( C0 h- s& {以達到雙重保護的功能

例如pmos圍的第一圈是NGR(這圈其實通常是當blk用)
0 }9 `7 ~9 }, t- s0 i; [( `7 g% c0 X3 m再圍第二圈 就是PGR
( X% }/ V! m+ i- L  G
必須注意的是 當nmos圍第二圈的NGR的時候
此圈Guardring必須加上NWELL
而NWELL覆蓋的部分 就只有第二圈Guardring
不可覆蓋到第一圈Guardring裡面的部分

瓦片小屋

不同的工厂有不同的画法，应为定义不一样，所以要看工厂而定！！！！

yingzi07482

可以在tf文件里面定义，也可以自己定义Multipath来做guardring
在tf文件里面定义大概格式如下格式，但是有些代工厂的tf自己加了语句上去不起作用
  j* [" |1 z5 ?1 O/ R' y  V
9 T/ ?3 R( R) i% {- LlxRules(

lxMPPTemplates(
;( name [masterPath] [offsetSubpaths] [encSubPaths] [subRects] )
* j4 U/ f7 r. P8 N- F1 Y' [5 e. [& Z;
6 t- `+ o% M; k9 S3 B. f+ g; masterPath:
+ P' h/ X+ @( o/ C: Y; (layer [width] [choppable] [endType] [beginExt] [endExt] [justify]
[offset]
' t& J7 }1 v' W$ ~5 w/ ~1 q; [connectivity])
;
6 Y8 [/ G) b: j2 d& {; offsetSubpaths:
5 \! O: r2 L3 s1 @. U( s, V/ f; (layer [width] [choppable] [separation] [justification] [begOffset]
0 i/ ^) i1 n! t6 M% q[endOffset]
0 }+ s1 P- Q' `. S$ C0 A* K; [connectivity])
;
7 U- \$ ]  A5 z! u% v; encSubPaths:
; (layer [enclosure] [choppable] [separation] [begOffset] [endOffset]
; [connectivity])
;
; subRects:
; (layer [width] [length] [choppable] [separation] [justification]
5 e7 G1 |+ x: f6 c" f2 y4 b4 ?[space] [begOffset] [endOffset] [gap]
; [connectivity])
;
/ b7 W  I) p, d7 K/ L5 h/ v2 `, ?; connectivity:
; ([I/O type] [pin] [accDir] [dispPinName] [height] [ layer]
3 [5 c0 M' ^5 M9 J  {6 U; [layer] [justification] [font] [textOptions] [orientation]
. M) i4 t# a5 v9 |- h2 E: C; [refHandle] [offset])
;
+ G! d; @8 t9 {: }+ _6 ?( B;( ---------------------------------------------------------------------
  g. M( s/ Z7 S& G* Z( K)
' Z4 P: n* o( b0 A+ S. b, L$ r
; ^; x! ^! Q) v(PP_RING_ROW_1
(("PIMP" "drawing") 0.46)
nil
((("DIFF" "drawing") 0.02)
8 R; p1 E8 z( N5 m: m0 [3 C  j8 s(("METAL1" "drawing") 0.06)
)
((("CONT" "drawing") 0.22 0.22 t nil nil
9 _9 C3 ^# U. k; ?6 I0 Z& u0.28 -0.25 -0.25)
)
)
& g+ k  A" F6 s9 X. {2 n5 g..... any other MPP define..
..... ....
/ s) {5 o4 Q. H0 Q# H9 p..... ...

) ; end MPP
) p/ c1 Z4 z: h* A" \; _8 T.... other class
. l4 x7 W( L5 S...

skeepy

要看那版的5033沒用，要5141版以後的，
) [4 e6 N" ~- V" f7 E& c1 U6 K就會有類似laker的auto guardring功能一樣，
( f9 k  W  T8 I0 r2 U5 ^" c! f- w! m圈選device就會幫你圍起來了，這功能很好用
* ^6 i$ S. G# e- `( s，還可以打雙排contact當esd ring。

chenwhae

能否請各位大大再 教教 double GR 如何畫
謝謝
) r: C3 N! [& v+ O) U+ u~~~~~

ecalfs

實際請參各proecss DR中的Guard ring rule

yalon

總知 !!
NGR n-diff 就須接最高電位.
PGR p-sub or p-well 就須接最低電位.
2 c" @6 f: p2 o2 A2 a; b2 ?
( d: s5 `; @8 _! x1 q目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.
) |  K/ h) L7 J; y) L
共勉.

yalon

總知 !!
  o+ I4 y! G% P) HNGR n-diff 就須接最高電位.
/ |  k1 Y' m& S0 _# }6 r3 w9 t# q5 U9 ~PGR p-sub or p-well 就須接最低電位.

: u$ T; {  \& N/ M7 p目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.

共勉.

wolfhound

這是我自己定義Multipath用來做guardring
6 k. i# D# I: g: Y直接ＬＡＯＤ就可以用了
8 N: u$ U" Y: y4 X( _0 rＤＩＦＦ
ＰＩＭＰ
ＭＥＴＡＬ１
ＣＯＮＴ
3 q# H/ j* ?3 q/ e( ?ＬＡＹＥＲ請設定成以上名稱

% I! V9 X! r5 t2 q3 ?[ 本帖最後由 wolfhound 於 2008-10-9 11:24 AM 編輯 ]

summer_hello

直接修改techfile?
* ?6 z4 M) m; v0 dload后如何操作？
7 O( j* v3 Z, n+ `谢谢了
这样限制字符，有点不太好

summer_hello

大大能否不加密，改你那个文件要方便很么啊，十分感谢的！！！！

dendeicide

原來guard ring double layer 是這樣子，很感謝大大們的分享。

smilodon

以上讨论的GR 都没有问题，对于Analog来说，devices通常会放在完全封闭的GR里，对于Bipolar、DIFF RESISTOR、或者用到HOT NWELL时，很多Foundry都会要求Double Guard Ring。

想说一下大家没有谈到的问题，其实GR还会用在Block外，对于Analog而言，Double Guard Ring可以避免Substrate上的Noise影响，对于High Speed RF circuits，substrate noise 不能忽略，常常需要较宽的Pdiff（接干净的地），Ndiff（接干净的POWER）来收集Noise，不同Block之间的Double GR形成了P-N-N-P的结构，而这种Back to Back的结构可以避免不同Block之间substrate的Cross talk。

spring30467

最近剛好在繞guard ring double layer  看到真是很有感覺 XD

8d8d90292

看了各位大大的討論，真的受益良多，謝謝

hungda50310

謝謝前輩們的精闢解說!!!

skygardon

回復 15# smilodon

碰到BiCMOS情況，npn管是否直接在外面接P-tap接地，N-tap接電源；pnp則外面是N-tap接電源，P-tap接地，這樣子是不是剛好就是BiCMOS中的HBT晶體管的double guard ring呢，請指教。如你說說，是否涉及到RF之間不同模塊，模塊之間是否採用P-tap/N-tap/N-tap/P-tap的方式進行隔離，這樣子會得到不錯的效果呢。
非常感謝，請指教～

AIC6632

guardring是很重要的
  n3 q  ~; K2 o2 k! }+ d不能亂接