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[問題求助] 請問一下Guard ring要怎麼畫

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1#
發表於 2008-1-18 17:17:07 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟我是用virtuso畫...沒有畫過guard ring
( Q6 w5 q9 J: a2 c! o( {. M& k可以請知道的人幫忙一下...交一下小弟^^"
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發表於 2008-7-10 15:21:06 | 只看該作者
在此先簡稱Guard Ring為GR,3 m8 J# d% i. F! l4 @
畫GR的方式就是在MOS電晶體外圍打上一層metel+cont+diff以及np or pp
! A. y6 }& g2 C& B# P如果是NMOS就打PGR,PMOS就打NGR
# f7 s6 p# l5 n4 L' U- d  c所謂NGR和PGR就是指np 和pp的選擇,& J. ^/ H" l( k7 j  }6 P
NGR就是metel+cont+diff+np,- J/ @5 J# e1 M) P6 V' L
PGR就是metel+cont+diff+pp,# n4 d7 q$ q) [
要注意的是GR必須把MOS電晶體整個圍住," b3 \9 B3 z" [% _6 Y
GR的目的主要在降低雜訊干擾

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發表於 2008-9-25 17:16:29 | 只看該作者

回復 6# 的帖子

Double Guardring 就是在原有的Guardring外圍
5 j+ S4 _8 ^3 u" O, X再圍上一層不同implant的Guardring
: E7 a% y8 w) \8 A以達到雙重保護的功能
( F+ M4 {$ N  F9 d9 [% R. @# N5 [9 \' y0 L) E% }, R3 j  X7 H
例如pmos圍的第一圈是NGR(這圈其實通常是當blk用)
, r9 a2 b0 _# s" Q再圍第二圈 就是PGR
5 F2 n1 O  G8 W
* q" o4 f0 f& C" ]必須注意的是 當nmos圍第二圈的NGR的時候% l$ |" q! l) B7 p4 B0 z; O/ k! ?0 m
此圈Guardring必須加上NWELL
  E+ [% h- l, E, _! h3 C, c而NWELL覆蓋的部分 就只有第二圈Guardring
- ^9 S- O3 T1 S& ]不可覆蓋到第一圈Guardring裡面的部分

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3#
發表於 2008-7-11 22:48:37 | 只看該作者
不同的工厂有不同的画法,应为定义不一样,所以要看工厂而定!!!!
4#
發表於 2008-9-20 19:20:24 | 只看該作者
可以在tf文件里面定义,也可以自己定义Multipath来做guardring
$ M. M' l8 ?6 x" T: I在tf文件里面定义大概格式如下格式,但是有些代工厂的tf自己加了语句上去不起作用
* O+ l+ i% y  {- P) h0 i- v3 `; f# W$ b  Y  W$ w
lxRules(* H  ?+ E4 O: J) W, n

$ w8 l1 H$ i6 E2 V. s) PlxMPPTemplates(9 h1 d6 o! }8 ]# ^* R7 Y: }
;( name [masterPath] [offsetSubpaths] [encSubPaths] [subRects] )& T% w9 M8 l8 p7 q. a* v* n3 W6 k' D
;
4 p; ~0 z. U! p. a! _4 m: A9 p  G" v; masterPath:  }! m( [5 G  P" J
; (layer [width] [choppable] [endType] [beginExt] [endExt] [justify]
+ M$ k8 X3 g$ b0 ?. T8 O[offset]1 ^1 \3 ~+ `* [  V; Z5 Q
; [connectivity])
- ?' K4 E+ v. W9 r8 ]. f;! i  a4 y0 G& S# E2 t; r2 ]4 l
; offsetSubpaths:! x- _" w2 W' Z- Y$ @
; (layer [width] [choppable] [separation] [justification] [begOffset]4 H7 c; ?2 M/ M& z4 |' }
[endOffset]
* l# ~- j1 B9 ]% b+ h) ?3 \" h" X) E; [connectivity])
  I9 N7 `% [: k/ T( J! k;
) a9 ?0 M+ _! ~  T9 {% [  t; encSubPaths:
( m/ Q2 [  I1 d+ P; (layer [enclosure] [choppable] [separation] [begOffset] [endOffset]
/ E. q9 r, {* Q; [connectivity])
- n# i, _6 }7 f. t, w( z;
: i5 }; u  l/ B/ v4 G( J9 @/ A8 L; subRects:) e) l7 K4 ]' S9 z
; (layer [width] [length] [choppable] [separation] [justification]
2 `, ~* l" u' E8 V[space] [begOffset] [endOffset] [gap]; [9 x9 q- g. h
; [connectivity])
. S. P2 V  @. n- z+ v; G;
9 M% {0 y0 X' F0 p8 s1 e$ b8 E' f; connectivity:2 {2 g) _* R( _2 z" r; y( t
; ([I/O type] [pin] [accDir] [dispPinName] [height] [ layer]; W  a. }) V- R; i8 e9 B$ I1 X
; [layer] [justification] [font] [textOptions] [orientation]
6 Q( N" t( _1 c; [refHandle] [offset])
+ _2 B' ?% A  w;8 x1 f8 m3 e. B* h* x- f
;( ---------------------------------------------------------------------
' u, P9 K" Y8 r)! W% s- ?8 p" y( ]
- Y0 T% P, |' V/ d; ~  y( g$ j
(PP_RING_ROW_1
. I' r- ?! M7 R* X' |(("PIMP" "drawing") 0.46)
5 I7 X" E) q7 E$ Gnil
' G! M4 K$ Z8 o- Q((("DIFF" "drawing") 0.02)5 [* O6 t& J- t: D
(("METAL1" "drawing") 0.06)# m! G8 V) h6 \, X% `
)' T$ X7 N% I6 `' ^
((("CONT" "drawing") 0.22 0.22 t nil nil9 m  L* }: G! y3 H, }
0.28 -0.25 -0.25)5 S6 O6 F- G! F% m$ T3 L
)
6 A: U' i- B( ~; B& A& @, i3 \# q)
  n& j) X2 E9 f6 l- m, ^..... any other MPP define..2 U1 ]1 V+ G# i
..... ....3 T* P, u2 V2 t; q
..... ...# f# {1 u) R) }$ h. V6 Y! C

) c4 B' B  ]7 g* M5 z( @! E5 S) ; end MPP1 ]) G# [5 I. a& _" ]1 H0 e8 H
.... other class8 F/ Q; u' q, A4 f0 R
...
5#
發表於 2008-9-22 11:13:07 | 只看該作者
要看那版的5033沒用,要5141版以後的," H; R2 ~( P" ^9 ?
就會有類似laker的auto guardring功能一樣,+ d6 A2 H1 D, P4 \) m" z: U
圈選device就會幫你圍起來了,這功能很好用
8 M: y! O+ M% J3 f,還可以打雙排contact當esd ring。
6#
發表於 2008-9-22 11:35:59 | 只看該作者

回覆

能否請各位大大再 教教 double GR 如何畫; r7 I7 v2 D+ H% |, A$ V% {
謝謝
( j" e" B  A7 z7 S$ D2 F8 N0 W~~~~~
8#
發表於 2008-9-26 16:37:52 | 只看該作者
實際請參各proecss DR中的Guard ring rule
9#
發表於 2008-9-26 16:49:25 | 只看該作者
總知 !!% b4 Q) x6 G1 a1 n6 u3 t
NGR n-diff 就須接最高電位.1 l% {. w' y: L
PGR p-sub or p-well 就須接最低電位.
  o5 u9 v* Z/ ^- B% t/ l
/ O$ B9 N! s7 }5 y5 E9 Y  K目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.3 y  \* P4 _. V- L  h. J

8 X& M/ G7 A) a. C) [+ A 共勉.
10#
發表於 2008-9-26 16:54:51 | 只看該作者
總知 !!
- Q5 O. c0 a  D  h6 U' B  DNGR n-diff 就須接最高電位.
- S4 K2 A8 X7 O$ cPGR p-sub or p-well 就須接最低電位.
: j! m7 N' d' d9 w! |: D5 `) s( }1 H1 l1 n
目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.6 I- E7 R$ m6 D
) `$ C8 J$ T0 N/ w9 u% n  g
共勉.
11#
發表於 2008-10-9 11:22:12 | 只看該作者
這是我自己定義Multipath用來做guardring
  o' D! v- c* i直接LAOD就可以用了
# M( ?0 u7 a0 |5 y& k4 o, \DIFF7 l" O# o, r; U1 e$ `6 h
PIMP( t; l* _# ~5 J' C1 q* Q. }
METAL1
8 h, ^+ c6 v1 g2 e) Y) u$ ZCONT# G! o- a; q5 V4 |) u
LAYER請設定成以上名稱
8 T; {% E3 j4 F6 E
% {3 Q4 R1 y2 i8 r' Y[ 本帖最後由 wolfhound 於 2008-10-9 11:24 AM 編輯 ]

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x
12#
發表於 2008-10-15 15:04:54 | 只看該作者
直接修改techfile?8 z8 @" S) U1 z! J0 [
load后如何操作?
9 {* W6 M- Q4 X) _谢谢了
' n+ x0 S9 r; e3 h' ], x- n: s这样限制字符,有点不太好
13#
發表於 2008-10-15 15:44:41 | 只看該作者
大大能否不加密,改你那个文件要方便很么啊,十分感谢的!!!!
14#
發表於 2011-4-20 00:21:35 | 只看該作者
原來guard ring double layer 是這樣子,很感謝大大們的分享。
15#
發表於 2011-7-31 09:24:10 | 只看該作者
以上讨论的GR 都没有问题,对于Analog来说,devices通常会放在完全封闭的GR里,对于Bipolar、DIFF RESISTOR、或者用到HOT NWELL时,很多Foundry都会要求Double Guard Ring。1 V6 W* g) B, U6 }; V$ F
9 l9 P+ V) w/ `6 R6 U' X8 B
想说一下大家没有谈到的问题,其实GR还会用在Block外,对于Analog而言,Double Guard Ring可以避免Substrate上的Noise影响,对于High Speed RF circuits,substrate noise 不能忽略,常常需要较宽的Pdiff(接干净的地),Ndiff(接干净的POWER)来收集Noise,不同Block之间的Double GR形成了P-N-N-P的结构,而这种Back to Back的结构可以避免不同Block之间substrate的Cross talk。

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16#
發表於 2011-9-15 14:24:58 | 只看該作者
最近剛好在繞guard ring double layer  看到真是很有感覺 XD
17#
發表於 2011-9-21 13:06:53 | 只看該作者
看了各位大大的討論,真的受益良多,謝謝
18#
發表於 2011-10-12 11:31:46 | 只看該作者
謝謝前輩們的精闢解說!!!
19#
發表於 2014-10-8 23:11:21 | 只看該作者
回復 15# smilodon
: ?4 I8 R, _5 W+ n1 l' X; C
8 C$ l7 o% G# {碰到BiCMOS情況,npn管是否直接在外面接P-tap接地,N-tap接電源;pnp則外面是N-tap接電源,P-tap接地,這樣子是不是剛好就是BiCMOS中的HBT晶體管的double guard ring呢,請指教。如你說說,是否涉及到RF之間不同模塊,模塊之間是否採用P-tap/N-tap/N-tap/P-tap的方式進行隔離,這樣子會得到不錯的效果呢。2 y2 f: ~; T) y+ |; I' Q4 U
非常感謝,請指教~
20#
發表於 2015-6-17 21:08:54 | 只看該作者
guardring是很重要的- v6 `4 ?7 U" A. [/ T0 H% `
不能亂接
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