關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?
) u* Z" d* m& F  a, b" y, l
參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
我們的place方案是：
1: A B A B
" V: H7 j! ]/ n. Q   B A B A
這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
( Y5 C8 C# \5 w/ d2: A B B A
7 R9 O7 R& U% N* A9 P) k; T# D   B A A B
$ D2 z4 z* R, |5 }& B3 L對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
3: A A B B
   B B A A
+ p' l. c! ?/ u1 F對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻
+ {( L8 ~# ^  b2 s& c: k
! s. W2 i9 s+ t大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?
& c6 T6 i! w, T3 s% ?1 B
[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?
" \# [( ]9 i. U/ Z8 L
沒人知道嗎?
7 _* Z7 M& `% b: Z: l' R
. U+ L( G: h: m* L沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
; L/ Q6 _+ b$ i) c1 G( y5 v  B第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
第三种分散性不如第二种。

[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配
+ g+ `$ [+ Q3 s0 S5 e, ~" j
可是為什麼電流方向不一致@@?

! I# F1 ^& b% |然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
第二種較匹配
3 \5 z' n3 G$ C$ }7 }
可是為什麼電流方向不一致@@?
/ B4 k5 u1 e2 z, C5 W
7 z9 ~! W7 r' _. A( N3 s6 T1 L然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

9 U; s: Z. J3 U( e5 Q! W
如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
3 e2 [: k! V2 `, u- _9 n所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以
9 I$ E/ u. l: M$ {+ D
" A5 ]+ u1 y  o- P. B4 x; C  \主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
2 E3 R. W& f* {若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿
4 _, N3 ^  v6 {" y( X( j/ Y
$ P' V$ r% d% w; r- x光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
0 y. k, p$ E$ ]3 D: b電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
; t- o7 S7 w# F6 r. N& w都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
7 H! |& R8 I8 n6 r一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
+ \# t1 p0 W; Y7 Z# `1 O, w; Z. w都 ...

' n  \. m& p- W. W: V/ n

, e: C5 [/ {* ?$ U" }8 Z$ Y
第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.

我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
$ r9 W" O. h( j8 u3 P% _) h如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

" E. c, q3 N; q5 Y
" B/ ~) l; G- i% _3 `5 R
1 m+ X& D2 V) g/ Y& {( m& q                  
                 
7 k2 A2 l  V' M! S6 i請問STI效應具體指？

                                                               
                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
  AB     AB
        x
  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central
* W# k! y/ D1 a+ o
如果不共用
* }4 ?; N! o2 @　A      B          A      B
        x        X         x
' s% o0 g; C3 A+ j5 \* J　B      A          B      A   
* m$ q5 P( e  C) B5 t: c　　x1　　　　　x2
x1 屬於 common-central
x2 屬於 common-central
  J+ N( u7 T0 Mx1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
! c8 M- g5 ]! j) j  \0 w兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊
# w* S3 a$ X4 q& K/ B5 [) R+ \
# K9 z$ h9 q7 w! H: Y  m, d  c/ |: t
& n4 R; h- i1 \; I方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
0 m* O, Z0 k" {0 p3 \我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

    何解? RD不一定正確吧?