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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.
" a/ Y: i& W/ F  x5 z8 sESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。+ u  z3 r1 d1 L% V. \. ~- [

, L* H2 }  V7 _% Y2 M5 H" J' J( K( ^) _Esd test summary:2 L7 p7 [# r$ ?' T. K" E/ z3 F
, C- Z/ F# q* a% o8 k
ESD TEST
' U  y6 v+ ~/ r0 O$ ~6 T% V! Q- c/ D

/ h5 N) F' O& U: `; ^+ ~) nPAD
6 `+ d- T' o& i0 r$ Y- ^* ]

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong
; [! b1 c& ]# Q; e5 x" R0 a
' w+ Y5 n# C! j  \整體佈局
. u' |3 ]7 T2 g( v
# Q& q1 `. M2 N6 a- O; Y: k6 ^/ t( zpad    layout
, c, d& m5 G1 [- nvdd&pin 28-38,1  esd protection6 q' j! D2 j: i# R

9 ~. q/ f$ m+ O: y; n/ H+ ^0 Wpad 39 40 esd  protection
. u& Q& T* K9 T, K/ D3 i& f( E& Y: d# V3 }, U. ?1 X/ `
gnd &pad7-14 esd  protection
; T5 N  H& o* J& l$ H

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1 7 T4 n2 \3 ^" _& R
, X$ A0 R: ^" u$ Z+ h( b

+ |8 ?+ C$ u( `" ~# j    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎? 3 _: p  n  T/ j5 o4 b
7 K! _* r" j3 b, Y

% D% t" U: {7 r9 |' c輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong
8 {! D, s5 \: g8 q6 I% x可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712 ! ^7 P5 g/ N2 E8 n, C8 U

) j6 ^3 V% a4 R8 J; d; P
8 M) a: j) l2 E% G1 }) K   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong
: j, w! J$ W" r我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712
% {7 |) z- T5 a$ v+ ?$ O2 ~2 \  A

' j! M; R, F8 R+ U    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯
* o# h$ ^$ J$ T
8 n3 b, X% t. v回復 12# jian1712 ( v$ |/ \# M) F- L6 t
" M9 r* Y5 i& U" O; J' |
% [: e1 I5 p5 C2 j0 `' `, F1 @
    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。
4 q0 b1 Z0 i2 @: z  d8 z8 c8 E1 p9 [: o5 l5 x8 t; |0 u: r
2 m. T' b$ {5 M( p" Z
  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712
" E, H7 \9 V2 V) o' {
- W9 e8 C- e8 s# {* L
! o4 a. l) s: y0 m  i6 x! a   
# Y; j( w) b2 D8 x: u3 |. t3 O' }; j' ^9 e; u8 l
  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun + R5 k' s# i: m# G7 g
; ]. Y3 ~; @% @: p# Q
: L6 L+ b; z$ Y! [  N
    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,1 ~; T& u% ^) C" H2 m
若PAD沒串電阻, 就直接到gate,
7 _( h* W  B1 y  P* l$ W2 a2 S這是相當容易造成gate端燒燬,
2 e7 x! B$ b: V$ C給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,
: o) N4 H$ C# R而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,
( T# ]; |1 U' V' e8 U' n4 A5 P# X0 G如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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