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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias' E' @3 q. ]# E7 l1 H  s
+ }1 r, d+ d9 O0 r2 f- q2 A6 u* U
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密# g. I0 g3 W5 f' x2 d* M
大部分是要match  D$ z& l" o+ v  Q
Metal poly  density  不夠
% y# r6 g8 h6 r- u; l4 u& P: B6 f加ㄉ那些也較 DUMMY 8 V0 A. c4 L9 L
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
- {3 K. u$ j: c4 M; C) b& d; v1 @2 L

, |. r1 s& H8 D3 s5 A5 k/ [    感謝樓上的大大
. ~" q- C! X# M/ ~9 G1 d   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
, [3 _2 M& l! l! a# u. ^: V% I; e( U! U* K" x

4 ~& D' ]  p* s7 p* u    感謝您回覆的這麼的詳細
, Y4 E4 J: H* Y$ d* n7 f+ c0 r: O您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!! j/ g: ^; \6 ~* y. k* ?# D
# U4 u! P$ l0 L2 O
不過簡單來說
. [$ Q: `0 u+ U7 G在製程時食刻會破壞掉你的元件  y6 x& B6 a- ~! w8 V
而特性就被損壞
+ \" O" P/ N1 W7 _( O+ y! {5 b1 }. i2 u9 a0 Q( I
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
& W3 _8 e; ?& R* v- k所以蝕刻吃他最多8 m8 r0 r8 |5 m6 |' h
主要部份特性就不會被破壞
# C9 a: N# U- H7 E: T, |4 c
8 {) \+ H5 l) m. }  Z3 h很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
7 B7 b; R5 h, ^* }" E所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
5 M7 ^+ [* J% _% _; E8 x
3 }# V& p' R* S6 M; x! y9 p3 E, D又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
5 H& L$ Q8 N6 W% w還有電容也要加' K& y% Y5 ^( B& D9 r7 O) q# L
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!7 ~  y7 c# e, p' c  e% y  ~
2 Z3 J7 _+ A1 |
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
; y- S; ^9 P- w  f* X, c. `. Yvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

( _( e5 F! a0 ?0 H- I/ d* ^' I. F; G; q6 O3 x7 e6 n
9 @' J# p  U3 i$ ~& X! ?7 b% K
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??4 Q& g9 E2 z+ P- V$ A; o* d% ?

. D4 P8 H5 a5 r% j/ c如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
. s8 l( D9 m8 L
2 G" T- y$ t0 E, c數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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