中國最大半導體生産商中芯國際授予巴斯夫“優秀供應商”獎

chip123

巴斯夫宣佈，榮獲中國最大的半導體生産商——中芯國際積體電路製造有限公司（中芯國際) 頒發的“2007年度優秀供應商” 獎，以表彰巴斯夫高質量的産品、可信賴供應以及智慧的解決方案。

9 W: t  o7 |& t巴斯夫電子材料（上海）有限公司總經理洪一中博士表示：「中芯國際是我們重要的合作夥伴。獲此殊榮，我們感到非常榮幸。我們始終在質量、送貨雙把關，致力於爲客戶提供可信賴的産品及滿足其工藝需求的智慧産品解決方案。這次獲獎，是客戶對我們努力的認可。幾年來，我們爲中芯國際提供了各種成功的産品解決方案，雙方也建立了牢固的合作關係。我相信，這一關係必將得到進一步加強。」
2 R( B& Z4 C  J
8 h1 S9 b$ Y# z中芯國際「優秀供應商」獎的評獎標準涉及面廣，包括成本、服務、送貨、技術支援及質量控制、産品影響等多項指標。中芯國際於7月12日召開的重要材料供應商會議上向巴斯夫頒發了這一獎項。巴斯夫目前向中芯國際供應晶片生産清洗、蝕刻和微影制程所需的濕式化學品。
% E% b. r6 m; l8 V7 o& w# X' }
2 X- Y' S9 [- P+ G巴斯夫是濕式化學品市場的領先企業，同時也是最早在中國投資電子材料的外國公司之一，於2001年進入中國市場。2003年巴斯夫在上海成立電子材料公司和質量控制實驗室，並於2006年在上海青浦開始本地生産。

7 C; _+ G4 J2 D8 T關於巴斯夫
9 v. _  @' d0 ~; `( t1 P巴斯夫是全球領先的化工公司 —— The Chemical Company。公司的産品範圍包括化學品、塑膠、特性化學品、農用産品、精細化學品以及原油和天然氣。作爲各行各業值得信賴的合作夥伴，巴斯夫的智慧解決方案和高價值産品幫助客戶取得更大成功。公司開發並利用新技術開拓更多的市場商機，同時有機結合經濟發展、環境保護和社會責任三大支柱，實現和諧美好的未來。2006年，巴斯夫在全球有約95,000名員工，銷售額超過526億歐元 （約661億美元）。若想獲得更多關於巴斯夫的資訊，請訪問：http://www.basf.com。

. Z* ^  ]! Z4 j4 t& e/ M/ P巴斯夫在台灣
巴斯夫目前在台灣擁有四家獨資子公司，在觀音、龍潭、新竹、南崗及台南等地設有6個生產工廠，在台灣的員工人數約為450。欲瞭解更多資訊，請登陸http://www.greater-china.basf.com。

台灣巴斯夫股份有限公司
巴斯夫於1969年在台成立第一家子公司 � 台灣巴斯夫股份有限公司，負責銷售進口及本地製造的產品，目前擁有一家動物飼料預混營養添加劑加工廠。

8 B8 n& X0 _) b2 A巴斯夫聚胺酯股份有限公司
巴斯夫於1988年在新竹成立的聚氨酯組合料裝置 � 巴斯夫聚胺酯股份有限公司，負責生產供應來自家電、建築、玩具、鞋類材料、汽車、傢俱等各產業的客戶。
- E, J( E+ y- y9 h
台灣巴斯夫電子材料股份有限公司
台灣巴斯夫電子材料股份有限公司為亞洲地區領先的電子材料供應商，提供半導體暨液晶薄膜顯示器製造業所需的高純度電子化學品，包括：潔淨製程用化學品、蝕刻用化學品、微影製程化學品、化學機械研磨製程用化學品和銅製程相關化學品等產品。
4 E5 p9 K+ W# O
, M) S4 s: }+ j8 ~" y  O台灣巴斯夫化學建材股份有限公司
3 P5 U$ d. F; p. T- N台灣巴斯夫化學建材股份有限公司成立於1973年 (前身為台普化工股份有限公司)，為化學建材產業之先驅，服務台灣業界已數十年。廣泛提供化學藥劑系統、隧道工程系統、化學建材系統及地坪系統等產品；實績應用於橋樑、超高塔樓、隧道、水壩、運動場、音樂廳、會議廳、產業建築地基等方面，其中包含國內多項重大建設工程，涵括『台灣高速鐵路專案』及世界最高之『台北101金融中心大樓』。

atitizz

1 g7 z2 F1 ~8 d" {) Y/ }巴斯夫與IBM共同開發IC用的先進電鍍銅化學品，提供電鍍化學沉積銅製程迅速、無缺點的超填孔能力，製造可靠品質優的晶片。巴斯夫／提供
: @: E5 M) A4 Q1 R) ], I  W
% a7 N. Q8 W# J( @! e& @0 C【桃園訊】巴斯夫公司開發出一種先進的「電鍍銅化學品」，除可應用在32奈米和22奈米的晶片技術，改善銅導線晶片的可靠度，提升晶片性能外，更是下世代晶片科技的重要技術。這項創新化學品解決方案是巴斯夫與IBM共同開發，雙方正擴展合作計劃，訂定可量產的因數。相關的技術、化學品和材料，預計2010年中上市供應。

atitizz

巴斯夫全球電子材料部資深經理兼該專案負責人Dieter Mayer表示，巴斯夫與IBM團隊選擇新的方式，透過對沉積銅物理特性的了解，來設計分子添加劑系統，克服電鍍銅方面的挑戰，這項創新的化學品距離製造更小、更快、更可靠晶片的目標又更近一步。
" f3 U) A6 A# S$ v% L$ g( ?
9 f* e- Q: M" q" \0 K實現無缺陷的電導線沉積是沉積銅製程最關鍵的條件。傳統的等向性充填〈conformal fill〉使用在電鍍銅沉積製程中會在形體的上、下、週邊，產生同樣的銅沉積率，形成接縫及缺陷。巴斯夫的化學品提供快速的「超充填〈superfill〉」，製造出無缺陷的銅導線。透過超填充的方式，底部的銅沉積率會較頂部及週邊高。
  U' b! B9 i0 |2 q' q
銅導線可有效改善晶片效能，這種高傳導性金屬的沉積是建構多層互連結構的關鍵性製程。無論是現下最先進的32奈米晶片技術，或是即將於2011年推出的22奈米技術，當晶片尺寸越來越小，互連結構越趨複雜，要製造出高性能的晶片就更需要特殊的化學知識，及純熟完善的化學製程解決方案。