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[問題求助] IC ESD 相關問題請教

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1#
發表於 2007-11-27 16:35:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
1. 聽說即使是 foundry 或 IP 公司提供的 IO library 也可能偷 rule 是不是?反正只要驗證 OK,先以縮小面積為考量,是這樣嗎?
2 Y6 M; Y2 p9 i! S. P/ g( l
: T# f4 y: B  B) }! `. Y/ a2. 假設發生 ESD 問題了,找到亮點了,傷到內部電路,也層層剝下去觀察,知道 damage 在哪個 device 了,如果它是 design issue,接下來該採取什麼樣的求證步驟和方法來找出是哪裡的 design 有問題呢?尤其是 ESD 都已經 follow ESD rule 的情況下,有什麼大方向可先行檢查一遍嗎? (附記 : 0.18um, mixed-signal IC)
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2#
發表於 2007-12-10 14:13:31 | 只看該作者
1. Foundry 的 ESD rule 通常都很大!!  所以使用者常會去偷 rule。IO library 通常都是過他們所說的耐ESD範圍,這部分應該必較沒有問題!!若有存疑可以請 Foundry or IP House 提供相關的資料,就可以知道其耐受度。, X7 a% b) S7 F) H5 c0 r
2. 亮點只是結果。這些可能要靠專業的判斷比較可以得知。大部分的都是猜測。沒有看到實際的 layout 和相關的位置是很難判斷的。

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cuban487 + 5 Good answer!

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3#
發表於 2007-12-10 21:30:36 | 只看該作者
根據我們的經驗, Back end 大概是主要問題。Poor metal routing 能導致ESD 問題, 即使已經使用ESD design rules. 您檢查discharge path嗎?
4#
發表於 2008-7-25 16:35:48 | 只看該作者
Foundry 的 ESD rule 通常都大,
  }6 F, N' Y* B+ Edesign by yourself is better
5#
發表於 2008-9-8 23:04:21 | 只看該作者
IC 裡頭有不同的 Gnd Pad 嗎?
4 t$ n* }6 J3 G4 P  G5 z; [; Z如果有的話,Gnd Pad 之間有沒有用 diode 串接?
6 B; ^$ R8 C4 Y8 m. ~0 q是否有思考過每一種ESD測試組合都有相對應的元件保護?
' e. a* K4 E( Z7 V2 p; ^6 y- v/ y如果都沒有,死在裡面也不是什麼很奇怪的事。
+ {, F2 Q- k; x; T2 w9 i# R  p$ B3 J  l
不過,如果是死在 Foundry 給的 IP上面 (不是IO喔),& M3 A- ]% J& I5 P3 F. \9 H3 W
可以把問題丟給他們,確認是Foundry的話,甚至可以談賠償,
( x: V- h3 C) |8 k不過,通常那種大的 Foundry 都不會理你就是了。
6#
發表於 2008-9-24 23:37:55 | 只看該作者
原帖由 ritafung 於 2007-12-10 09:30 PM 發表
0 D8 i: i* S& n( |2 c& ?- F根據我們的經驗, Back end 大概是主要問題。Poor metal routing 能導致ESD 問題, 即使已經使用ESD design rules. 您檢查discharge path嗎?
4 [5 a7 {( Q7 h
  ?- G0 J- e3 B9 X" c; P4 K" z

! V2 F9 ~8 N6 o/ }. n, c請問何謂poor metal routing呢? 可否麻煩大大解說一下?
7#
發表於 2008-9-24 23:42:18 | 只看該作者
我也覺得常遇到的case都是死在內部電路+ v+ w. f2 @( }% G( h
想請問各位前輩, 若我找到damage的device, 假設是死在core的gate好了,那
$ I. [: \% h) A+ D! u我可以直接在那個gate前面加一個放電path嗎?, 譬如一個diode.
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