DRC所出現的問題？

shihchia

1、ｐ0.R.1 (@Min poly area coverage <14%
DENSITY POLYI INSIDE OF EXTENT < 0.14
( e3 w# Z; E! o) K  l( o  Ppoly_DENSITY.log: 0.6 6.3 65.35 28.1  0.0940808

% V) f/ r3 I) l8 o2、M1.R.1 {@ Min M1 area coverage <30%
DENSITY M1I INSIDE OF EXTENT < 0.3
M1_DENSITY.log: 2.95 4.75 67.15 30.25  0.250681

3、M２.R.1 {@ Min M1 area coverage <30%
DENSITY M２I INSIDE OF EXTENT < 0.3
" k+ d( P4 a3 I- x' `3 Y) `M2_DENSITY.log: 3.7 7.2 68.4 26.3  0.0331737
6 _+ f7 h$ \; }  \
. b- m6 h6 \. P5 D6 d: z
, q% k4 I$ b* K& M& e' V0 w6 G最近在layout全加器，在DRC時，遇到的這三個錯誤訊息
大家幫幫忙，一起替我解決一下唄
謝謝啦！！！

小朱仔

這三個錯誤只要多補 poly metal1 metal2 dummy就可以解決了
9 |: L6 g: C( k$ Q9 o9 Z像ploy gate要14% 但你只有9% 所以還要在努力加很多dummy poly這樣就可以過了
1 p% g- p4 |. _' S其餘依此類推,製程廠會要求density要夠是因為怕密度不足會造成Top Layer過重壓誇下層所以建議還是補滿

sw5722

像我們通常在小block時,這個問題會視為"假錯",
( n$ H8 M% i/ `1 b# Y, s3 |等到上層整合時,再一次補齊.
高密度是可以增加良率的.

cjchao

非 chip-level 時，可視這個問題為"假錯"，不需解。

motofatfat

通常在小block時,這個問題會忽略,
9 c# @8 Z7 a' Q" y/ Q3 ^! s$ U( a等到最上層整合時,再一次補齊
或是框出不補ㄉ地方後,通常是類比或重要ㄉ地方
讓光罩公司去補

u9513349

area coverage <14%

area coverage <30%
* l7 E% M2 v# o8 V
) b8 l* x. j7 D, k: I" {: b在drc來講是正常的(那是當作業,非下線)
! z0 U3 }4 n6 f  d9 P9 y
如果要下線的話,就要補滿ｍｅｔａｌ　和　ｃｏｎｔａｃｔ