DRC 出現的錯誤

minagroic

在DRC時有兩個錯誤不知道如何解決，又看不懂希望能給我解答。
謝謝!!
8 ^+ ~3 ]: F5 z  I1. PO.R.1 { @ Min poly area coverage < 14%
   DENSITY POLYI INSIDE OF EXTENT < 0.14 PRINT POLY_DENSITY.log
- ~) U0 V) O7 X8 N# j% G2 T}
8 i' o& ?( p- @# E! d. a2. M1.R.1 {@ Min M1 area coveger < 30%
* \8 Z. L3 }, a% b, x; o: y   DENSITY M1I INSIDE OF EXTENT < 0.3 PRINT M1_DENSITY.log
}

m9507314

如果你是要下晶片，那最後有多餘的空間上補上poly &metal1即可
. k" t3 |8 p; l) \5 z3 g: s如果你不需下晶片，那這個跑DRC時可以忽略
PO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14%

lcctsai

說的沒錯,但好像有筆誤:
M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14% ---> 小於30%

kf_chiang

一般 POLY & MT1 density 不夠應該是 whole chip device 不多造成,如果 chip 還有面積的話,建議加一些 VDD<->GND MOS CAP ,如此可以同時提高 POLY & MT1 density .

vic

小弟的淺見...
這應該是poly與metal的density的問題....
8 g2 E7 O. r6 I  D) FPO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於30%
1 T$ c! Q: k# {/ i: p% g+ M好像增加poly跟metal1就可以解決的樣子