LC-VCO MOS選用問題

apiapia

想請問大家
一般做LC tank VCO時  
通常大家偏好以NMOS為主  還是PMOS呢???

雖然PMOS擋雜訊 比NMOS好
/ U; }! W- a  s6 z& t2 f+ H5 K想問phase noise真有改善很多嗎(假設都在同一條件下)
" I! a- ^1 E/ \' X) H+ J" d/ @# b  C
8 M8 c" S' F* C. ^想問有經驗的人
在各方面trade off  後  
0 c- @0 @3 }( T' J喜好PMOS  還是NMOS當主要架構??   (小弟最近在研究QVCO)
* m  z, a1 J9 D7 G: l7 ~                                                   謝謝指教~  Orz
9 r0 T% ^8 r0 p5 v! m
. I+ w5 `' ]  D[ 本帖最後由 apiapia 於 2009-3-21 11:54 PM 編輯 ]

macrohan

为什么不用NMOS+PMOS交叉耦合的呢？

tom918273

你可以參考IEEE
& S/ Z1 `3 ?* M& }: o# |A. Jerng and C. G. Sodini_The impact of device type and sizing on phase noise mechanisms的文章
他有畫一張比較圖在1MHz時
Phase noise:NMOS(20um/0.18um) versus PMOS(60um/0:18um).
2 C2 z+ B& `: i1 }: L2 DNMOS：看起來約為-115dBc/Hz
PMos：看起來約為-120dBc/Hz 較好一點