BJT 架構的 Bandgap，最低電流消耗可壓到多少？

shaq

Dear all,

3 x8 n% M: R7 c% ]我想作一個 BJT 架構的 Bandgap，不知道哪種架構可將電流消耗壓到 1uA @ VDD=3.0V 以下？
* ~0 j" H& z  ]0 O" F+ B
7 Z# @" h; R4 ?Vref 不一定要小於 1.25.  VDD最低工作電壓在 2V
' @" l( o4 T/ j7 o8 m
( K4 V+ {# \2 QPSRR 暫不要求。
& p3 U6 B# D2 {+ L; _
7 E$ |% \1 p; F6 }& k' t1 C2 v有人可指點一二嗎？

[ 本帖最後由 shaq 於 2009-4-9 05:38 PM 編輯 ]

donlion

subthreshold还行，bjt够戗。。。。。。。。。。。。。。。。

yalon

用一般的架構都可以ㄚ....
: `  z' j+ f' G+ a; ^/ Pop type or current-mirro type. 1u ok ㄚ~~小弟有試過ㄛ.
% h. L" u, Z7 v3 J: H. D4 f2 A
/ ], V* ~* H6 l: C$ |% E( [只是 silicon 上 跟 hspice simulation 會有比一般 20ua, 電路有較大的誤差.
. ]- Z+ y) ]: J) X- T
建議你花多一點時間在 post-sim 跟  device size match , optimization 上.
因為低電流, 相對"抗噪性" 便會變差.

例如: hspice 告訴你 vbg 1mv/ppm.
但wafer 會給你 30mv/ppm. ------ 別意外ㄛ.

共勉.  
# H8 s! M! ?8 E$ \/ F解釋如有不當  願請賜教   感恩ㄛ

Mr_Adams

1u 的話，bjt會不會 beta roll off了。。。

finster

我是沒有設計過那麼低的
, t9 |2 R8 M$ @1 }) y" N5 S; U不過,我同事倒是有試過,基本上如yalon會員所述,採用那一種架構其實都可以作到低於1uA的規格
只不過,面積會比平常的大很多,所採用的size也都會是long channel的形式
6 D) _* w5 Q  {/ f8 _0 M. Z尤其是電阻部份,會比平常的大至2~6倍左右不等
因為想壓低電流消耗,必需把各個分支電流給降到最小,故而電阻的阻值也就必需相對增大不少,故而面積部份會相對變大很多
這是相對所必需付出的代價
/ f# @3 q& Y4 T6 J/ i* H) f另外,若採用op架構形式的bandgap reference circuit,其op的頻率響應速度也會因為要壓低電流消耗而必需降到很慢,這是相對的限制,故而在設計時需留意此一缺點(條件限制)

122013137

bjt會不會 beta roll off了，，，，，，，，，，，，，

hi.china59

Please visit the following website, for more detailed information
http://www.eetop.cn/bbs/thread-189570-1-1.html

semico_ljj

2uA可以实现！

semico_ljj

1uA   bjt的beda会不太准

yuyingdugu

2uA可以实现！
' Y% B/ N3 {: Vsemico_ljj 發表於 2009-10-4 10:47 AM

4 O/ a8 A$ }3 K
5 Y. v, d, F  b3 w# h
    2uA，电阻要做到很大，不知道工业上能否使用？

semico_ljj

不知道为什么要这么小，电阻很难做的啊面积太大了！5uA～8uA还是比较常见靠谱的！