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[問題求助] metal走45度角有什麽影響

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1#
發表於 2009-5-1 07:35:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位大大,請教一下metal走45度有什麽影響呢?謝謝啦!
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2#
發表於 2009-5-1 16:31:02 | 只看該作者
1.減少銳角以檢顛電場強度.+ e! {' }" D" S& d1 e0 U4 h
2減低轉角處的電子遷移,增加可靠度.
3#
發表於 2009-5-1 22:23:07 | 只看該作者
走線距離變短,RC delay相對變小。
2 W; U' c9 O/ X1 `3 F+ p3 o: p8 l- L+ s+ J; m
Veteran
4#
發表於 2009-5-2 15:54:01 | 只看該作者
reduce current density,減少電流過度集中在轉角處+ S1 [* ^* s; m9 Z4 g, X  Y, Y
可提高metal 可靠度 .....
5#
 樓主| 發表於 2009-5-3 11:57:51 | 只看該作者
謝謝!!!metal走45度對作mask有沒有影響呢?
6#
發表於 2009-5-3 19:36:55 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

没有,可以用135度转角尽量就使用!
7#
 樓主| 發表於 2009-5-3 21:59:45 | 只看該作者
这么说来,45度角很有优势嘛,为什么在core cell中很少用呢?各位大大,帮我解答一下啦,谢谢!!!
8#
發表於 2009-5-4 16:27:24 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

在自动布局布线中,工具一般不支持
9#
發表於 2009-5-8 16:53:31 | 只看該作者
因為core cell本來就是用在處理digital signal, 結果不是0就是1, 不會有電流考量.
8 w" b6 m3 d* q) }# o3 R0 ]6 C使用在APR如果timing model不準, tool會自動加buffer, 這也不是metal走45度角就可解的.
10#
 樓主| 發表於 2009-5-8 22:15:01 | 只看該作者
謝謝大大們的分享,感激涕零,在這裡真的能學到好多東西哦,尤其是我這樣的新手。
11#
發表於 2009-9-25 11:18:06 | 只看該作者
謝謝你們的分享  讓我學到很多  之後就LAYOUT就可以試試看
12#
發表於 2009-9-25 11:37:39 | 只看該作者
只要你可以避免OFFGRID 都沒問題. l6 f7 B2 v6 q' }  K

# `9 E- o9 d6 N% ]5 yOPTION  DISPLAY 裡面的  X Y 的spacing 大於 0.001 應該都可以 過  這也要看製程廠提供的RULE  你可以試看看
13#
發表於 2009-10-1 11:27:16 | 只看該作者
尖端放電  在現在的process  好像比較不會有
. l) J9 I& x7 @但是 45度斜角  有時是電流的關係
14#
發表於 2009-10-3 01:01:57 | 只看該作者
45度角
" `0 ]' e+ I6 P+ e. B; }6 d6 v# i1.DRC 檢查軟體運算時間++
' d* N. `/ o8 Y3 w3 e  C- ~6 D) u, Z4 \. T2.RC Extraction 不準 運算時間+++# r$ N4 w% z+ @
3.P&R 時間 +++
# _4 H1 ^9 L0 o, H& H" R/ u4.最重要的原因 製程良率 ----
7 ~, ]2 i& a7 ]6 ]$ r3 ~, i0 Y7 ?' o  W& D
Cadence在幾年前曾經被北大的團隊騙去搞 X architecture 最後市場 = 05 d5 K/ J2 e! P# k4 i% C
當年提出一堆"好處"後來證明是壞處更多. k& n) i3 T1 ^' b( [7 [0 z2 r4 L) u
所以 90度角 還是證明他的價值存在
" V1 z6 p2 R  B- J  j* J( d5 i" |2 U  R- I
至於上述的有人提到電流的 應該是指寬 metal 在 Analog IP 中使用的情況2 S0 F5 ~: @: ?- U0 `/ H! l$ J
而且要求低階製程使用 ;在45nm以下使用非規律的pattern 都是在浪費錢
15#
發表於 2009-11-11 23:12:35 | 只看該作者
謝謝大大的分享,非常需要,GOOD!~~~
16#
發表於 2009-11-12 16:33:15 | 只看該作者
就這問題跟幾個朋友討論了一下. B3 [  v) b1 V1 I( `1 l* Y

+ g7 m& A- J: i得到以下結論2 ]* H4 V4 G1 h! v& V$ E& Q
8 q( H% u/ Q" T- C2 [! o3 j8 H8 n! d$ e; V
目前的製程技術已經到哪邊了???; S$ j  f( e8 h( k' ~( q+ q+ o4 p
你所需要的製程技術是否需要???
7 [# ^) t8 p, ~3 C; yDESING rule  都會注明是否可以使用45度角使用5 ]" A) u/ @2 S2 n6 h& k, [
* G: w5 Q2 A/ K! Y% o( i7 t/ e: s9 D
其實越先進的製程跟我們所LAY的圖已經差異很大了  3 M/ t8 Z3 a  Z0 X4 F( m
# h; \1 U2 I1 r: c+ T/ H
我們可能拉一條線  FAB廠可能就用了好幾層光罩圖 去補強
; ~9 n- A) b3 `* Q) Y2 C( W+ @6 ]
所以45度角的使用上也不至於這樣在意(高頻部份 我就不清楚啦)
6 N& S% K. w! m7 h, |/ ]1 O3 I/ G: S/ y9 T- D
重點在於你的MOS對稱性 那是不會改變的
& x8 f* H. ]% r) c! D
* _7 M0 G5 ]' F7 n% _如果對上述回覆有問題請多指教  謝謝
17#
發表於 2009-11-14 16:59:31 | 只看該作者
進來看一下5 T$ M; j5 H- s" I0 S7 V9 k
又學到好多事物
8 M* {0 W# Y' s) h0 G第一次知道layout可以90度以外4 e- P7 v# K1 U' b$ g  L
謝謝!
18#
發表於 2009-11-18 16:08:59 | 只看該作者
高頻電路才有差啦: X, U7 m) }" ?/ w% q" H$ }8 c
我同學做SAR ADC因為速度慢; e4 s0 H/ m; R% O8 u0 w
繞線其實有接到就好了
5 V( W$ U9 o& U8 m直角繞線或是metal太細幾乎影響不大
8 m$ g' t, H* }% o7 ]4 g7 s+ V做sheilding保護敏感的訊號比較重要
19#
發表於 2009-11-18 20:54:42 | 只看該作者
一般foundry的设计规则里面都会规定你可以使用的走线角度。90度应该更常见些,综合考虑45度的优势还是没有它理论上的那么明显。
20#
發表於 2009-11-19 18:43:14 | 只看該作者
在 IC Core 裡我不曉得, 但在 PCB 上 45度轉角 對降低 EMC 非常有效, 由其是在高速訊號下, 降低 EMC的產生, 試想 你以高速跑步 要轉灣時 如果90度轉彎 你會不會 偏出去?
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