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[問題求助] CP 和封裝 一問

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1#
發表於 2009-5-13 11:10:44 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
3Chipcoin
最近有聽到wafer 經cp 測試過後會造成針痕 , 而這些針痕會影響以後的封裝良率,
- o* u4 d& N3 {- ^: k' d聽說這協針痕會造成金線打上pad後容易造成金線脫落,不知是否真的會這樣,如果真的會造成封裝良率問題,2 j& A8 w+ D! m% i% Y/ ]
不知是否有大大可以分享這方面的經驗,或是有規範有這方面的指導

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2#
發表於 2009-6-17 09:29:49 | 只看該作者
晶片在經由CP測試之後確實會在pad上留下痕跡。在金線鎊線過程之中,需提供熱及超音波震盪於金線與pad上形成共晶鍵結結構,針痕會影響鍵結力度,故有製程參數之拉力測試。不良的鍵結力度,在晶片上板開始工作時因熱能與不同材料間熱膨脹係數,應力形變會對鍵結金球產生拉力,使鎊線斷線!
! \# z3 i" A! T可以找一下JEDEC是否有相關規範,各測試廠亦會有其規範或經驗值!
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3#
發表於 2009-6-18 10:49:52 | 只看該作者
一般不用这么担心吧
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