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[問題求助] 關於電阻的設計

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1#
發表於 2009-5-22 12:17:00 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
在CMOS製程中
( K1 l" }% t" y  [; ~1 ^& ]; Z& q大致上可以知道說阻值等於sheet resistance*(L/W)  l8 r( q& Y2 T# B- |4 x3 O. ]$ @
不過我有個問題就是L跟W值的選取3 k2 x$ \7 o4 Q$ y% c6 A
假設我要讓L/W=2
2 r4 S+ S' ^/ g/ V$ r' w我可以有很多種選擇 像是2u/1u 4u/2u ...等
1 {1 p' ?5 Z; n" O+ ], G那請問一下這幾種選擇除了雜散電容造成的影響之外& s# {# ~: T& A* q3 f  G$ {3 P: V
還會有什麼影響+ X* c  N- b5 ^3 `2 k8 U2 n
謝謝指教
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2#
發表於 2009-5-22 15:30:16 | 只看該作者
Dear squirrel316,3 `. ]/ `( ^+ c6 A
Basicly, the W should big enought and has a low bond(usually 2u for above 0.35um).
; Y% K# N+ ^+ qIf you using too small scale like 1um, the accuracy will be very poor.( J+ W; d" F0 D8 I
And it should be considered the eatch value.
7 a3 O6 X' Y2 d7 {$ t  sAs a reference, the foundry resistor test key, was measured by 10u/10u or larger.
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