請問TSMC .18 rfnmos問題

squirrel316

最近使用TSMC .18製程畫layout
使用PDK所叫出來的RF NMOS最外面那一圈是deep nwell所拉出的
而裡面那圈是接body用的 我都是接到gnd
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" w* Y+ o( T' x# M, I- {% o7 Y因為先前看過幾位畢業學長的layout
) {5 Z+ N' @! Z4 p( S# L6 p他們最外層那圈都是跟body接在一起 也就是接在gnd
不過照理說那不是應該要接在VDD嗎?
- R% T. U% ?. G8 T% N: [如果是跟body一起接 layout起來是方便多了
$ V0 E0 m# J' h  d) k; p6 b因此請問一下最外面那圈應該要接到VDD還是gnd比較好
但如果接在VDD的話 是否最好另外接到另一個不是該電路的VDD
而是另外一個VDD比較好

謝謝

heshufeng

deep nwell不該與gnd連接。
* F7 E- s! g6 t3 S: Bdeep nwell 起隔離作用，它把它所包圍的nmos和襯底隔離，減少了nmos受到的雜訊干擾，如果deep nwell直接與gnd相連，而且你這個gnd很可能是與襯底相通的，所以不能其隔離作用。
2 i/ ^- R* e* ?9 L( g但是如果你這個deep nwell 中的nmos是負電壓的話應該可以這樣畫。