請問TSMC .18 rfnmos問題

squirrel316

最近使用TSMC .18製程畫layout
使用PDK所叫出來的RF NMOS最外面那一圈是deep nwell所拉出的
而裡面那圈是接body用的 我都是接到gnd

- v% D) c- z& r1 v因為先前看過幾位畢業學長的layout
他們最外層那圈都是跟body接在一起 也就是接在gnd
0 h+ }, A* @  l' i! |7 O不過照理說那不是應該要接在VDD嗎?
* z1 }/ S- e/ q3 u8 V; ]  r9 A如果是跟body一起接 layout起來是方便多了
/ ~  I" Y" W* ?2 z3 o因此請問一下最外面那圈應該要接到VDD還是gnd比較好
但如果接在VDD的話 是否最好另外接到另一個不是該電路的VDD
而是另外一個VDD比較好
2 j9 R1 U" D9 J
5 h+ W! v+ u7 V' E謝謝

heshufeng

deep nwell不該與gnd連接。
deep nwell 起隔離作用，它把它所包圍的nmos和襯底隔離，減少了nmos受到的雜訊干擾，如果deep nwell直接與gnd相連，而且你這個gnd很可能是與襯底相通的，所以不能其隔離作用。
但是如果你這個deep nwell 中的nmos是負電壓的話應該可以這樣畫。
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