deep n-well

familys123

我是剛設計rf電路新手，在設計好電路後layout時

. t$ b* _; i9 A* O+ \9 H發覺rf的mos最外圈有兩層，最內圈是body而最外圈是deep n-well

我那時不知道那是deep n-well，而在layout時nmos那圈我都接地
( d( x# p! [5 o- R
而pmos是那圈是已經跟body那圈接在一起了，所以我不需要動它

在我最近下線完後發覺好像不太對，我把nmos flatten掉才知道

; W/ w! Z0 k2 w1 [) J; p它叫deep n-well，nmos的body是p型，那我還把deep n-well接地
9 B9 _) W& O: o) q; f
+ g- {* n+ [/ d/ x4 ~那不是有可能順偏，我電路中body都跟source接在一起，而我的電

路中source又不一定接地，那這樣子我的電路很有可能不work嗎？

$ x. G4 a) G  cdeep n-well是一個電晶體配一個，還是整個wafer配一個，若是整個wafer

一個的話那我叫出電晶體時怎會最外可以讓我選擇如何接？
# h8 @+ i" z' o" \8 n6 @
那deep n-well我該怎樣接才對？1.與body接在一起2.不要接(浮接)
6 C0 t2 [. W; L+ C1 q: H9 T
: [- p! o9 L* @, ~3.接到最高電位。那種方式會比較好，而一般會用那種方法？
4 r) `$ x. t  x: A0 q" E
4 v$ n# b# q& m* t* s3 A# h而我所使用的是.18製程。

areutheregod

我把這一篇推上來，因為我也有疑問，
過去其它製程剛好沒有deep n-well ，現在用TSMC.18的model發現有deep n-well ，
/ B7 a, x, O, B& r上課的時候說過這樣把所有的body都分開，所以可以單獨mos的s和b端接在一起，
# C) ?9 N- \$ C: X可有違過去的經驗，雖為了怕bodyeffect而把sb端相接，
1 l0 N/ W1 w- r5 d可怕latch-up，所以把b端都接最負電源，
3 e- @; T# o) W- ~! C/ y6 S如今.18有這樣的製程設計，是否表示可以把sb端相接 ? 只要外圍有deep n-well ?
有先進可以回答嗎?

semico_ljj

Deep Nwell就是为了实现sub隔离用的