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同意樓上ㄉ看法
5 L" k* t/ G _/ X# L$ i; W/ ?粉多時候是經驗值
, _/ y' }2 ?) z! IESD mos
, ^; X L2 o4 q- g( R9 q* e5 Y1. poly width 選定 w4 u& A) D* f
2. cont 到 poly gate 的距離------- 通常是 一般rule ㄉ 2-3 倍左右/ C/ m. f. V* T* _7 S* ?6 F! g" I
3. cont 到 od edge 的距離 ------ 通常和 cont 到 poly gate 的距離 比 是 3:1 or 4:1
" j3 t' D1 [* |6 ]) c0 c5 n4. P/N mos 的距離
0 d0 @7 A$ D1 ^, p% v5 N: U4 @6 }5. ground ring width- --------- 通常是2個VIA 以上的寬度
) j, g3 l3 Z( i, Y. t6. 是否加 dob-Ring --------- 通常是一定要ㄉ8 Y: A- D$ K# N# z, u; m
7. P/N mos width 的選定
+ @+ w ?4 D, s0 j 補充一點/ A3 X ]: l3 Q8 m( Z
8.看製程 決定 RPO or ESD LAYER ㄉ使用 |
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