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1#
發表於 2009-8-27 19:58:36 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問板上大大,lay ESD mos 有什麼須要注意的地方嗎? 感恩感恩…
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2#
發表於 2009-8-28 12:41:00 | 只看該作者
正統的話 應該還是按照DESING RULE 去畫  比較不會有問題喔
8 T8 P8 B5 |4 ^1 A, N: }% C希望這建議對你有幫助
3#
發表於 2009-8-28 13:34:20 | 只看該作者

ESD mos

1. poly width 選定3 g6 Z0 [, K! t$ p' P2 Z7 F4 L
2. cont 到 poly gate 的距離5 {6 p9 R3 g  \, I) k. C9 t  X
3. cont 到 od edge 的距離7 L+ U8 ~& M1 [: j
4. P/N mos 的距離8 H2 g; F5 X0 x+ e. s6 x" M5 r) P6 {
5. ground ring width! P$ P% l6 _, s! H& |
6. 是否加 dob-Ring
* V% P5 U" {; h! o2 o1 ~0 }7 F7. P/N mos width 的選定
4#
發表於 2009-8-28 14:44:27 | 只看該作者
同意樓上ㄉ看法
5 L" k* t/ G  _/ X# L$ i; W/ ?粉多時候是經驗值
, _/ y' }2 ?) z! IESD mos
, ^; X  L2 o4 q- g( R9 q* e5 Y1. poly width 選定  w4 u& A) D* f
2. cont 到 poly gate 的距離-------  通常是 一般rule  ㄉ 2-3 倍左右/ C/ m. f. V* T* _7 S* ?6 F! g" I
3. cont 到 od edge 的距離  ------  通常和 cont 到 poly gate 的距離 比 是 3:1 or 4:1
" j3 t' D1 [* |6 ]) c0 c5 n4. P/N mos 的距離
0 d0 @7 A$ D1 ^, p% v5 N: U4 @6 }5. ground ring width-   ---------  通常是2個VIA 以上的寬度
) j, g3 l3 Z( i, Y. t6. 是否加 dob-Ring      ---------  通常是一定要ㄉ8 Y: A- D$ K# N# z, u; m
7. P/N mos width 的選定
+ @+ w  ?4 D, s0 j   補充一點/ A3 X  ]: l3 Q8 m( Z
8.看製程 決定 RPO  or ESD LAYER ㄉ使用
5#
發表於 2009-8-29 12:03:29 | 只看該作者
還有metal線也必須注意 source 跟 drain 的metal line注意平均 還有最後可以用top metal做補強 top metal 較厚可以承受比較大的電流
6#
 樓主| 發表於 2009-9-4 09:04:32 | 只看該作者
感恩感恩…
# b: n4 R- x' l讓我又多學了一些相關知識了
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