請問在加電容時，使用PMOS好還是NMOS好

james65chan

有時LAYOUT有剩餘的空間可以放電容，
0 O& C! u; [7 o; t; p- Q請問各位先賢在加電容時，使用PMOS好還是NMOS好

" Q  b' ~: R5 U& M- p- x8 iP/N MOS 如何達到穩壓的效果

shucai

从原理上来讲,NMOS还是PMOS作电容并无本质上的查别,因为都是依赖与gate做介质.至于具体的选择依据,我的看法是: 1)电容两端的结点间的电压范围--如果对容值要求不是很准确的话关系不大; 2)一般来讲PMOS会方便些,因为不需要构筑额外的well来处理sub的连接.

james65chan

嗯!那如果有跨壓noise 的 issue.
是否就應用 pmos 電容，
# F$ q* s+ N+ d- R$ X0 I因其include 在nwell 中，
沒錯DRC RULE會較大，影響size.
9 H2 C8 t4 _3 l4 r# r
: ^. l- m0 T3 n) D
. `; v! m8 f; ?6 w+ p* \' D! y" t所以說  在不考慮 noise 的情況下 nmos 電容與 pmos 電容  效用一樣嗎？

duanzy

个人看法，仅供参考：

用PMOS做电容的时候，PMOS的NWELL与衬底（p型）形成一个反偏二极管，当地线上来一个瞬间大电流，能通过这个来对mos电容栅极进行保护。当然，在栅极上加一个小电阻是常用的做法。

- U: t" F, W0 B1 z0 |但是PMOS的电容比NMOS的电容小，如果不考虑ESD的可靠性方面，单从电容滤波方面考虑的话，NMOS应该比PMOS好~

motofatfat

同意樓上的看法
以原理來看
0 L: J& ?: X, uPMOS 的載子 是 電洞
NMOS 的載子 是 電子
$ D3 L' p7 b& w) e; Q" R電子移動較快
如果無其他考慮
NMOS 似乎 較佳