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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Analog/RFIC討論區 › extracting mos parameter
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[問題求助] extracting mos parameter

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1#
發表於 2009-9-9 21:20:00 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問各位前輩  小弟最近需要找出新製程的mos 參數! p) t  t2 j4 m- _
/ x& h: J, H4 X  A% y
請問有什麼辦法 可以使用hspice找出製程參數呢?
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dennyan
2#
發表於 2009-9-15 16:28:59 | 只看該作者
個人是用一套BSIMPRO+的軟體
! z! c* t" Z) f' V$ ?依照它的量測資料讀入後; }* s* Y$ X5 k- f: ]' I# c' D
就可以依照curve去調整model parameter!2 a: D, W& I( ]% h; \( }5 v7 T
所以重點還是要先量出實際的data!% M9 N9 }. F: y0 o
希望有幫到忙!
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3#
發表於 2009-9-15 17:16:43 | 只看該作者
1.掛上你所需要的modle file
, |6 u8 N9 r. M1 r) }- ~% O2.寫一個nmos(pmos)4 D; y/ x+ z2 E- g/ @/ T
3.跑hspice確認lis檔即可) k. x- W' H" N: \6 P; Y
4.如不掛modle file參數都可自定...那就不需要確認mos參數了
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hoodlum
4#
發表於 2009-9-15 18:21:17 | 只看該作者
我的習慣是拿到新的model0 D3 V& {. S( l- c8 n  L$ u
都會跑NMOS和PMOS的IV curve) l& r0 e2 ?3 U
裡面就可以得到很多資訊包含mobility相關參數等等3 u! I3 s" W0 J, @7 @0 F" U
MOS接成diode後再掃IV curve就可以得到VT# r, L3 q2 ^# ^! o) _* R' ^: H
這樣其實MOS model 參數就大致都得到了
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