VDD-VSS ESD测试

scy8080

ESD测试电源对地时，两种测试方式，见附件。
我认为前面一张图的（1）和后一张图（2）是一样的，为什么要做两种测试哪？
& d! f" q7 m$ O9 Z( [6 I( q7 P0 r谢谢

ritafung

道理上他們的discharge path 都是一樣的,但是事實上他們的discharge path有可能不同...我是從seminar裡聽到的.

semico_ljj

原理一样，但是需要做测试

fabc

不一样，就像吃饭一样，，先吃菜再吃饭跟先吃饭再吃菜是不一样的 。过程不一样，你打开IC看看就知道有区别的。

hkgcrcom

頂頂更健康，支持一下。                                  qq自由幻想外掛

wesleysung

1.靜電放電有兩種極性正負 所以要分別測
2 P! g$ q- k! W( w. O) s2.放電路徑會不同  如果對地打正的是通過寄生ＢＪＴ　如果是負的是順向偏壓
( S& W4 t% v% T8 h9 S* v
5 ^! {9 S. K$ [( \, I個人淺見請參考

shmiyi

同意六樓大大的說法~~
不過這只是基本的

dreamflying61

学习学习！希望有帮助哦！

linger809

ESD测试电源对地时，两种测试方式，见附件。
+ m; w$ d6 H2 l9 u, P' ~# F4 R我&# ...
4 q& w) R/ g. l( qscy8080 發表於 2009-9-21 05:20 PM

你说的没错，实际的esd测试中vdd到vss的测试就只对vdd到vss进行zap，
* y8 u& J+ x7 P' v% i2 u- u1 ~5 `不会再倒过来进行测试，路径完全一样，而且倒过来测试还要花费更多的钱，
% c* Y$ r6 ^! N而得到的是一样的结果。

spsun

請問PCB上 ESD保護原理 ?

man11_7

從外面看到IC 測試上都是從Vdd到Vss 及 Vss到Vdd 好似依樣
: t5 l- s4 Y  C! E4 O" a$ l但由於IC pin腳分配不同，也代表著IC內部layout設計可能不同
8 r' I0 B% T6 x) O因此依照法規精神，是需要都做測試的

s717042

恩.....吸收新訊
6 D5 y9 T) f( ]6 b/ f
感謝各位

pcul

昨天參加ESD seminar有討論這點, 但講師個人認為是一樣的.
9 x" Z% _: |+ `6 }小弟也認為是一樣的.
- {3 \1 o4 m- B8 Y% j
' [! Z9 o3 ~7 k: mVDD --> VSS 用+V 與 VSS --> VDD 用 -V 相同
1 O' }; T/ i6 YVDD --> VSS 用-V 與 VSS --> VDD 用 +V 是一樣的
/ Z' ~( C7 `! ~  p  H3 E' y. z
! ^) r7 F$ u2 y9 U# H以上是小弟淺見, 盼望前輩高人指點.

wangdali163

看JESD测试标准，对这个有提。理论上式样的，但是实际测试时，因为仪器上面寄生电阻不同，所以不一样。标准上面也说，如果使用一种先进的仪器，可以认为VDD对VSS打正，与VSS对VDD打负，是一样的。

szona44250

受益'良多
! ]: H. i; i. {- w  t
謝謝大大的分享!!!!