spice model中一些MOSFET的參數要怎麼求得？

sereniva

小弟目前使用TSMC .18的model
想要找出MOS的μ0、ro、Cox等數據，來設計電流、電壓值
但是卻不知該怎麼從 .l檔案裡面去找出這些數據
' ?6 h* D- A: ]& l5 U: I3 ~
目前大概知道μ0就是裡面的U0
. Q' r$ ~% Y- k2 V9 ^: B但是ro=va/id，這個va值要怎麼知道呢？
2 }2 Z, p: B! V7 ~還有Cox=εox/tox，εox的值也不知道怎麼獲得？

有好幾個參數不知道數據是都多少，真的不知道該怎麼設計了...
& F. H5 s& Y9 e# m- `( R電子學的那套計算方式根本沒辦法使用
只能亂tune W和L的值，真的好累
, d8 {$ N. r: s
請前輩們指導我一下該怎麼跨出第一步呀
感恩

skiptoo

关于εox，这是sio2的介电率 其值可通过计算得到，为sio2的相对介电常数*真空介电率 所以这个值基本是个固定值
tox可通过查看制程文件得到。
关于ro，在高阶模型里面LAMBDA就很难手算出来了，可以通过跑传输曲线看出个大概

rice019

Cox其實製程文件裡面會寫
也可以跑模擬看出 比如說跑個 1/1的mos
spice檔加 .option captab
( P0 t8 W. r, u, D9 d% u! o; O, f看lis檔就會有電容大小 cgtotal
* z! j  r0 n# G3 K( |/ }$ H除以面積就是單位電容
不過電容跟厚度有很直接關係
類比工程師也需要有個概念
gate oxide 90A 1x1um大概3fF
: m( W1 T( O+ k2 U' U' l70A的接近5fF以此類推