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[問題求助] spice model中一些MOSFET的參數要怎麼求得?

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1#
發表於 2009-9-27 11:59:29 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟目前使用TSMC .18的model6 K7 b" c. g& y$ y/ |
想要找出MOS的μ0、ro、Cox等數據,來設計電流、電壓值. m! d! G$ J$ ^0 u
但是卻不知該怎麼從 .l檔案裡面去找出這些數據8 y+ P8 y2 U4 O# v, S# A
& L, R& o9 Q3 |+ W. l; x& Y6 `
目前大概知道μ0就是裡面的U0
- x8 @/ A1 H3 Q4 c1 g  D但是ro=va/id,這個va值要怎麼知道呢?, G* D- ~) L& I
還有Cox=εox/tox,εox的值也不知道怎麼獲得?' Y  I  Q( Y5 J, a% N' B" c( F
# G. I5 A* V1 S+ K; b" Z$ K8 N9 ^
有好幾個參數不知道數據是都多少,真的不知道該怎麼設計了...
' y/ E+ w& e, c' S' g: ~4 Z7 P電子學的那套計算方式根本沒辦法使用
$ T4 `+ O6 `% d只能亂tune W和L的值,真的好累
! N# \- ?$ d7 p, q/ O8 H- n, s3 K& h1 t# O5 \/ G- c. r* x
請前輩們指導我一下該怎麼跨出第一步呀
5 N% b+ [: g. E感恩
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2#
發表於 2009-9-29 00:30:49 | 只看該作者
关于εox,这是sio2的介电率 其值可通过计算得到,为sio2的相对介电常数*真空介电率 所以这个值基本是个固定值8 l' Y' j( ?% I) G  x
tox可通过查看制程文件得到。
$ C& b, c4 C4 ]% Y关于ro,在高阶模型里面LAMBDA就很难手算出来了,可以通过跑传输曲线看出个大概
3#
發表於 2009-10-10 11:55:12 | 只看該作者
Cox其實製程文件裡面會寫
5 F* J2 }* a9 A9 @" V% n也可以跑模擬看出 比如說跑個 1/1的mos
% W3 l% Q% b, v) F2 Q. r# h3 Zspice檔加 .option captab6 U( Y# @6 c, [1 r6 x
看lis檔就會有電容大小 cgtotal
8 ?9 E3 c4 [5 \0 A6 X9 g除以面積就是單位電容: \1 ]5 P! Z% U4 l0 `5 B
不過電容跟厚度有很直接關係
: R; q; W. _' B# F& e類比工程師也需要有個概念
" y6 n4 P; v2 p* Ygate oxide 90A 1x1um大概3fF6 }; Z' n4 a" D
70A的接近5fF以此類推
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