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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 請問關於tsmc018製程裡面的pwell
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[問題求助] 請問關於tsmc018製程裡面的pwell

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tshiu
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1#
發表於 2009-10-26 16:11:34 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問通常在什麼情況之下NMOS需要包PWELL
0 q/ \4 q* I& a  F* ?. t0 VPWELL對阻隔雜訊地效果好嗎; ?: s% ?2 r5 e: g' j8 J3 W- D
(因為之前用35製程只有PMOS包NWELL)
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tshiu
2#
 樓主| 發表於 2009-10-26 18:10:57 | 只看該作者
目前知道在18製程裡面使用PWELL會多一道光罩程序
! d6 F! i2 b& t$ K+ z) a/ C可以增加NMOS的參雜濃度
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3#
發表於 2009-10-27 22:44:59 | 只看該作者
當你sub的電位不一樣時# h0 D3 o- e0 O$ Y& F6 Z
                                                   
4 t% D, {& v5 F0 E5 x4 O也可以使用！
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4#
發表於 2009-10-29 15:01:52 | 只看該作者
通常不只有一組低電位時會用到psub2這層layer，但還是要看ocmmand怎麼決定的…
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5#
發表於 2009-11-11 10:14:45 | 只看該作者
看你ㄉ 製程 決定
, N! u7 T. \) L通常 T ㄉ  PWELL 光罩 3 N. B% C% o# ^/ h
都是 NWELL 的資料  邏輯 運算 出來3 n4 n) E* |) c
所以要看你ㄉ DESIGN　ＲＵＬＥ　" S( F5 B# G! ^% C- B0 ]
和　光罩製程資料
6 \: |- Z2 I+ @7 Z　& z, \* g; U4 N  g. Y. \6 Y4 I
PWELL對阻隔雜訊地效果好嗎' 還是要看製程
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