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[問題求助] pn junction 的電路的設計與layout

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發表於 2009-11-6 17:02:36 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我在課本中和同學有提到在訊號線上用兩個逆偏的diode可以當作esd的簡單的裝置。而且在layout中
5 e. V2 w- x: X9 Y8 K4 J. Y也可以解 anttena rule的錯誤。其電路圖如下:
7 I3 q/ B  ^0 \8 K* b( r4 T7 o$ H
而我畫的layout圖如下:
% u3 O, d9 X2 ?5 E' |) h/ {) r# Y. M

3 r' u/ \( l2 S7 D7 \9 w' i我現在有個疑問。因為這個不是lvs會被認成二極體的,所以rcx抽出的postsim應該不會有這些diode。6 ~6 W0 I9 b- E+ |; S7 {- J' ~" o) L
我是想要知道在台積電的0.18um cmos製程中。這樣的pn接面其特性是如何?
( `+ n" b2 n. v" T0 ?- _4 v1.pn接面導通的電位多大?跟pn接面的面積有沒有關係0 F5 z5 u) q  D& g; P# {: I
2.導通電流多大?跟pn接面的面積有沒有關係6 E2 q. l2 K8 Y- G
3.逆偏崩潰電壓多大?跟pn接面的面積有沒有關係; I) K4 d/ c, E, q8 A* Q+ k
; e" a- L, L* ^7 d2 b5 k
拜託有人能給我一點指引,謝謝。
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2#
發表於 2009-11-11 23:15:42 | 只看該作者

此貼有意思~

此貼確實有點意思~
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( z. M, S$ [7 e% G% f! `) ^! G1 \% z0 Z! k- k* n
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poseidonpid -2 惡意灌水!

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