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我在課本中和同學有提到在訊號線上用兩個逆偏的diode可以當作esd的簡單的裝置。而且在layout中
5 e. V2 w- x: X9 Y8 K4 J. Y也可以解 anttena rule的錯誤。其電路圖如下:
7 I3 q/ B ^0 \8 K * b( r4 T7 o$ H
而我畫的layout圖如下:
% u3 O, d9 X2 ?5 E ' |) h/ {) r# Y. M
3 r' u/ \( l2 S7 D7 \9 w' i我現在有個疑問。因為這個不是lvs會被認成二極體的,所以rcx抽出的postsim應該不會有這些diode。6 ~6 W0 I9 b- E+ |; S7 {- J' ~" o) L
我是想要知道在台積電的0.18um cmos製程中。這樣的pn接面其特性是如何?
( `+ n" b2 n. v" T0 ?- _4 v1.pn接面導通的電位多大?跟pn接面的面積有沒有關係0 F5 z5 u) q D& g; P# {: I
2.導通電流多大?跟pn接面的面積有沒有關係6 E2 q. l2 K8 Y- G
3.逆偏崩潰電壓多大?跟pn接面的面積有沒有關係; I) K4 d/ c, E, q8 A* Q+ k
; e" a- L, L* ^7 d2 b5 k
拜託有人能給我一點指引,謝謝。 |
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