請問各位大大,關於MOS電容下極版問題

tommy01

若是NMOS做的電容
上極是版G極,絕緣層是薄氧化層,那下極版是基底還是N通道呢?我有查書說明有三種狀態
1,通道未型成時
5 r$ }9 Z; Z  ?, |5 c, C8 R2,三極管區
3,飽和區
( R, m0 D, @* [4 K0 K但是RD通常叫我算POLY跟OXIDE重疊的面積就好
這樣是操作在哪一狀態呢???

kkk000777

3,飽和區
4 e- H6 R; F$ U通常 depletion 都要形成，電容值才會穩定
" n$ u# Z" y  N! x* P8 v所以使用的範圍 Vg 會超過 Vtn ,
. i) Z7 |5 [  r7 r3 t. S如果想要使用雙向電容的話，可以用 barrier N+ , let mos always turn on.

poseidonpid

通常應該是工作在  (2,三極管區)，因為MOS電容的S,D,B三個腳位會是接在一起，Vgs=Vgd，所以是在三極管區，在電路設計上，MOS電容通常是由W和L的面積算出來的，但會非常不準，通常是用在穩壓用，而且在不同的電壓時，電容值會不同(Razavi的類比IC設計第二章)，要大於Vth後電容值才會較穩定，且不適合當雙向電容使用(如OP的miller 補償電容)。

semico_ljj

工作在反型层 状态

chungming

example for NMOS :
Vg > Vth MOS at deep triode region, MOS Cap at strong inversion
1 L9 Z% I8 X; w* SVg <Vth MOS OFF, MOS Cap at accumulation

You can see Razavi Chap2 pp. 39
Good Luck ~ !