有個FLASH的問題

dysyase

[20奈米NAND Flash大戰引爆　三星、美光、東芝全面較勁]
2 t0 k9 _' W, R0 J  h這是今天再網路上看到的一篇新聞~亂轉不太好所以就沒轉上來了~
我的問題是~之前~45的時候不是說~會有讀取次數減少的問題嗎~那~20不就更慘~為何製程縮小會造成~讀取次數減少的問題~

Nobody

因為 floating gate 電子越來越少   一點點的干擾就可引起讀取失敗
floating gate 電容 ~  1fF  
一個準位的電壓 = 3v
  s7 L, z4 L; JQ=CV  = 1x10^-15 x 3 = 3x 10^-15
. y+ D: d6 W3 \- M' n& B; |一個電子電荷 = 1.6 x 10 ^-19
floating gate 上一個準位差別電子數只有 3x10^-15 / 1.6x10^-19 ~ 1.9 x10^4   個電子
如果偏移了 10%   , sense 可能就 failed   ,  
  M! \+ a3 g" z4 B% y6 @1 S8 Q讀取限制在 100k 次  , 每讀取100次對 floating gate 的影響必需降到  1.9x10^4x0.1/10^3
6 P: }: e* w9 ]( g6 Y9 t1.9 個電子以下   , 你知道這是多少電流嗎 , 假設讀取 100 次時間= 100 us  
3 s! E- k. o/ m2 N5 u! Fi= dQ/dt ~  1.9x1.6x10^-19 / (100 x10^-6)  ~   3 x 10 ^-14 A  = 0.03 pA  
) D1 d/ h! S; vnand flash 的 read disturb 和data retention 問題 在越來越精細的製程只會越來越嚴重
0 h0 u4 e7 g" i只能靠ecc 和一些存取的限制來彌補
% F+ n2 Y6 a) i; F5 [可參考 "nand 快閃記憶體" 曾德彰  科大文化出版 一書

likc

Very Good!! Thanks for professional answer.