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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 有人可以分享POWERMOS的畫法嗎
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[問題求助] 有人可以分享POWERMOS的畫法嗎

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samgu
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1#
發表於 2010-5-17 10:19:20 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我的layout工作，主要就是在畫POWERMOS
- ^0 w6 b( H( P/ _& L. E; U工作這幾年間嘗試很多做法，但是一直無法找到
2 ~' V& ~6 N5 o; ~$ H一個最佳的layout,也可能因為我迷失了，希望可以透過大家的經驗，
* n% B8 j. _2 k激盪出一些新的想法，請大家賜教，謝謝
3 x6 i0 {) p, `
; C, i: J% Z6 I簡單說一下我的心得，8 M8 _4 s( V1 O) o* n  p
1.若用MIN的RULE來畫MOS，相同的面積可以得到最大的width，最佳的Ron，最大的電流
& m; j! J4 n) {# i2 P   但是必須承受ESD是否會對MOS造成破壞，因為DCG為 MIN RULE
+ }& S9 _0 {/ z( O" U- _( Q2.若為了兼顧ESD則會浪費面積，犧牲Ron: @2 M& H9 D1 L0 Y- U
3.若要兩者兼顧，面臨的問題則是 1.ESD rule 要放多大，2.butting contact and source contact 不足
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pph_cq
2#
發表於 2010-5-17 10:33:12 | 只看該作者
我们一般在最小rule基础上适当放大，比如最小contact to poly是0.4，我们可能会取1，如果觉得太浪费面积，可以用bent gate或waffle结构节省面积。
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shangyi
3#
發表於 2010-5-18 01:20:31 | 只看該作者
看過finger, waffle, 井型, 六角形的畫法
, q0 f$ f3 @- _6 u2 ^- U% D" C" Q1 u
那種比較好... 我也不清楚哩!
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腳踏
4#
發表於 2010-5-18 10:29:04 | 只看該作者
看過finger, waffle, 井型, 六角形的畫法) N" X/ V0 T- L4 O) y( r

; k3 f( t$ ^1 a6 c- @1 r' j那種比較好... 我也不清楚哩!
* F- r2 z+ @: q0 Z! e+ Yshangyi 發表於 2010-5-18 01:20 AM
' q" X  V: `7 f0 d; b7 h
! G2 x, ^; D- k5 t
* k8 f  N- P( ~/ I$ c, s
    我也想知道那一個比較好$ E, e  [+ I7 k8 E
   有人知道嗎
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shmiyi
5#
發表於 2010-5-18 13:52:57 | 只看該作者
要從製程上研究MOS的變化~~
# F0 l% B5 p: V5 q9 ]* O. e相同製程不家的MOS的參數變化不一~
1 A1 V: X5 S8 R+ F: s' k- k即代表I-V CURRENT " q6 O( ~* Q$ B5 i) d/ y
所以我覺得好像不是看畫法" v4 c2 f# Y# |9 Y  r6 b5 k
要從看MOS的特性去研究~~
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6#
發表於 2010-5-19 14:15:49 | 只看該作者
感謝你們的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
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yuany
7#
發表於 2010-6-9 01:23:25 | 只看該作者
学习一下～～～~~~~
* {0 J& N( t8 Y: ]* F
0 C1 p7 @3 r1 b呵呵
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8#
發表於 2010-8-7 09:10:44 | 只看該作者
Nmos放两列cont比较好，Pmos单列就ok啊，如果W比较小还可以另外做ESD
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9#
發表於 2010-8-9 10:20:23 | 只看該作者
回復 8# junxingyu $ O. C  A, u0 e9 c+ k1 f2 W
! a& j2 S' k) G
這個說法倒是不了解！請問是經驗嗎？
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10#
發表於 2010-8-9 10:21:34 | 只看該作者
其實最有效（area最小）的是waffle, 井型, 六角形等，但是要process支持，還要留片驗證！
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11#
發表於 2012-3-1 20:27:54 | 只看該作者
感謝分享感謝分享感謝分享感謝分享
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photoss
12#
發表於 2012-4-9 20:27:53 | 只看該作者
最近正在研究powermos的畫法,挺受用的,感謝大大分享
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13#
發表於 2012-4-9 20:54:36 | 只看該作者
finger,井型, 六角形的畫法,再搭配ESD rule以1:4畫法,
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14#
發表於 2012-4-10 10:35:52 | 只看該作者
各位的这些方法请问有图片作参考吗？？没花过POWERMOS的表示很无奈啊= =
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photoss
15#
發表於 2012-4-10 17:17:21 | 只看該作者
现在急寻power mos画法现在急寻power mos画法
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930709
16#
發表於 2012-5-12 21:40:35 | 只看該作者
看是面積還是效能阿!!  l, e+ d6 B4 z" l- _& [
可以給我一些不同的意見嗎?
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17#
發表於 2012-8-28 22:57:30 | 只看該作者
正學習POWERMOS的畫法，感謝分享！
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alex13
18#
發表於 2013-2-13 10:44:30 | 只看該作者
回復 10# semico_ljj
; s7 s# ?' V- `# r- S& B, w6 R  s# b/ `: K$ P# T( d7 n

( t, m1 o1 t8 P    小弟問一個蠢問題，Area最小是指Ron相同的前提下嗎?
3 Q+ z! E1 q+ q6 h% j/ I感謝先進不吝指點，多謝!
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19#
發表於 2013-3-5 15:17:46 | 只看該作者
看不懂。我想只是PowerMos應該考慮的是散熱及最大電流吧。最大電流與線寬直接相關，散熱與面積直接相關，應該都有規格表可以参考吧。
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20#
發表於 2013-3-21 22:52:54 | 只看該作者
一般在最小rule基础上适当放大，比如最小contact to poly
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