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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › latch up
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[問題求助] latch up

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YuanII
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1#
發表於 2010-10-27 17:11:25 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我想請問各位大大，
4 S: B& f4 L) o2 y在LAYOUT時會做哪些技巧來防止latch up發生??
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2#
發表於 2010-10-28 14:19:24 | 只看該作者
關於您提到的問題. v8 |& u0 f1 B8 _' U
板上先進有比較詳盡的解答了
! I( N$ d7 g9 J; L2 o, ^參考這篇吧
3 }. S6 t& }. ?3 A7 q! [1 T希望對您有幫助
; ?$ i* Z! C+ M4 C* A2 \
7 u9 i+ q0 `; u* M8 M) {$ whttp://bbs.innoing.com/frame.php ... 6extra%3Dpage%253D1
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Liwayi
3#
發表於 2010-12-22 09:14:44 | 只看該作者
權限不夠看不到
9 u2 ]* U, k( o% i( h/ U4 w2 ]來鑽積分
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spsun
4#
發表於 2011-1-18 19:16:13 | 只看該作者
權限不夠看不到 , F' G9 N  b! u  i0 K) ]
來鑽積分
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5#
發表於 2011-1-26 13:38:20 | 只看該作者
最簡單的方法是多打一些 7 D0 `3 \# x! v, k" o
body contact  將低阻止- V( h. K1 s7 ~( k. `  \1 U, s, c
來防止 latch up
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wkh7788
6#
發表於 2011-1-27 11:19:51 | 只看該作者
多打一些contact，或者讓mos vcc跟mos vss的contact離遠一點，不要靠太近。
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7#
發表於 2011-2-21 17:25:49 | 只看該作者
防 latch-up最有效的方法当然是拉开P/N mos管的距离，这个是要面积来换的。; I( j0 ^# w- i$ G
如果你比较care面积，可以把souce段的contact往后拉，尽量使VDD与VSS的距离大一些！
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8#
發表於 2011-4-1 14:19:18 | 只看該作者
DRC 的檢查都有 latchup 的項目. Pad 的部分應減少 Rwell & Rsub 阻值.
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samgu
9#
發表於 2011-4-19 10:14:08 | 只看該作者
簡單來說加RING, X. _9 ~) F* o0 Q$ Y) i6 c' B
不要造成PNPN結構，若有將距離拉開
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10#
發表於 2011-5-12 11:51:38 | 只看該作者
權限不夠看不到
& t6 M5 M7 x' z& t- r來鑽積分
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dlchen
11#
發表於 2011-5-12 14:19:27 | 只看該作者
嗯嗯...我知道的各位前輩都有說到喔....
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12#
發表於 2011-5-19 15:23:12 | 只看該作者
權限不夠看不到...希望有人能分享!謝謝!!
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liping
13#
發表於 2011-5-23 16:34:39 | 只看該作者
多加地，P/NMOS间距拉大
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yhzcn
14#
發表於 2011-5-27 17:18:46 | 只看該作者
权限不够
$ a, @1 `+ ^. T2 [! C您的帖子長度不符合要求
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15#
發表於 2011-6-1 19:58:19 | 只看該作者
把CMOS操作於低溫中，溫度降低BIOPLAR元件之電流增曾變小，使NPN及PNPBIOPLAR元件之電流增益乘積不易達到1。----這是我的解法之一。
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eetwww
16#
發表於 2011-6-2 16:05:56 | 只看該作者
我怎么又看不了.........
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iwj31
17#
發表於 2011-6-5 20:41:56 | 只看該作者
我也想看，可惜，權限不夠，不知道，我只好加油一點了哦，謝謝哦
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18#
發表於 2011-6-7 19:38:28 | 只看該作者
動真格認真的說，產生latch up並單只有在ic layout，製程或rd設計的電路也可能latch up的狀況產生，
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eetwww
19#
發表於 2011-6-8 09:55:02 | 只看該作者
權限不夠看不到
+ _7 h9 ~1 R- w, f7 G, o) S..............
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20#
發表於 2011-6-22 04:45:49 | 只看該作者
權限不夠看不到 !
9 |. t# w' q  l# m  O1 C3 h+ _  N, M來鑽積分
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