ESD失效分析求助

andyjackcao

2颗VDD到地测试
1），第1颗从500V开始测试，大部分在500V时就失效
" y, D& E- e, t' w2），第2颗从1000V开始测试，大部分在1500V时失效
6 I9 x' N' X% Z# H4 m! V& P* @电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构
- z6 y# `- S" X9 {$ l$ a失效机理是怎么会事，多谢

klim

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
1. 請問製程為何?
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?
+ M8 l2 |. H* B1 `3 j" A3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?
) {' s% y  G$ `要有上述的數據才能做最基本的分析.

andyjackcao

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
7 i$ e/ I! [) o* k7 j1. 請問製程為何?
/ ~7 l/ Z, F& B2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
klim 發表於 2011-1-18 14:32

1), 請問製程為何?
, Q6 O( m" ^* o) h- ^3 b tsmc 0.18um
  y6 [. Y+ Y; Y  x5 U2 n% q4 c
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
两个芯片均测试HBM模式，故意一个从500V开始打，一个从1000V开始打
0 {7 s) O/ T( }4 h
3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>，只是没有固定的电源引脚，而是，通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置

postme

感兴趣问题的进展，是样品概率问题吗？

andyjackcao

感谢关注,ESD问题已经解决

tuza2000

how to resolved it????

andyjackcao

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路

chang707070

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路 ??
$ q1 m6 r! i( R- K. ^* |/ N3 y均勻是指什麼
方便貼圖上來嗎