layout新手請問一下各位大大...

a7893657

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各位大大好：

小弟有些小問題想請教各位先輩，
1. common mode的differential amplifier，這種形式的layout一定要是對稱性的，是嗎!? 為什麼!?
: r7 t% s" A# v, J8 O6 K: D
' _/ p. u( z5 d( A5 H; p2. 拉layout走線時，是以什麼為主，電流!? 還是電壓!?

, w0 k% @' j2 _3 U; B; W% q3. 之前有聽學長說，電流1mA，metal要拉1um，是嗎!? 哪是針對所有層嗎!?

stevenxit

1. 為了減少製程上的誤差讓類比電路產生影響, 就會在layout上做一些手法來避免, 至於要不要做則是取決於你囉~書上也都有一些參考資料說明當mos有誤差時會有什麼影響~
1 l7 p- K4 _0 c
2. 這個有點難回答, 電壓電流都伴隨在一起的, 基本上拉線的考量應該要考慮流經的電流大小, 當然還有一些其他考量~

3. 沒記錯這個限流是針對metal 1

以上有錯的話再請各位前輩指正~

jian1712

2. 拉layout走線時，是以什麼為主，電流!? 還是電壓!?
) A% n& H3 D' w) c1 y+ K6 q) U6 e7 `+ d主要看走的是什么信号线了，如果是一条reference电压的线，这里就要求线上的IR dorp要小， 如果是一条clk信号线，那么就要注意避开一些敏感的信号线，减少clk的noise对敏感信号的影响
3. 之前有聽學長說，電流1mA，metal要拉1um，是嗎!? 哪是針對所有層嗎!?
8 R# X: N! F8 W+ d通常analog ic采用的工艺多为0.5u的，各家foundry的常规M1，M2的design rule基本都是1ma/um的电流密度，所以在layout时我们会在意电流大于1ma的信号线
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( {4 Y# t1 e* q6 h) a拙见而已，多多指教

terriours

回復 1# a7893657
0 g# j) s3 N% B2 S

# {) W8 L; ?! D; V% S7 B9 C! Q    第一個問題：是要講究matching的，因為要考慮到offset的問題；
% a8 n  I( H, T   第二個問題：考慮到offset問題就要以電壓為主，只有很好的matching才可以把offset的影響降到最低；
   第三個問題：如果電流有1mA，你走線的寬度也要相應的增加，在你layout是所用制程design rule中每層metal每微米承受的電流是不同的，一般電流的承受能力是從最底層metal逐層遞增的，因為厚度和最小寬度會變大，所承受的電流就會越大，還有contact和via也是一樣的，這些資料都可以從design rule中獲得，所以在走線的時候要以這些數據為依據，畫出相應合理的線寬和打足夠多的contact以及via。
, U1 s6 \. o* w- d   希望以上所說能幫到你，有錯誤的地方歡迎指正，謝謝。

a7893657

回復 4# terriours

9 L; J0 ^8 X0 C; ~$ \6 l感謝各位大大的幫忙....感恩!!!

吳龢峻

2. 拉layout走線時，是以什麼為主，電流!? 還是電壓!?
Ans:
% x6 }& H7 [1 G& d如果是電流信號,請注意電流密度的問題.如果是電壓信號請注意干擾問題.

3. 之前有聽學長說，電流1mA，metal要拉1um，是嗎!? 哪是針對所有層嗎!?
# X8 Z3 {" T2 A7 ]+ {* x( {Ans:
  V3 L8 e2 e1 X# _7 H& [9 J5 sdesign rule 中一定有 各層 metal & via 的 static current density Spec 請對照使用.