恩智浦「半導體高性能射頻設計大賽」正式展開

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最佳創意射頻功率裝置將贏得價值2.5萬美元獎品

【臺北訊，2011年1月26日】 – 恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.；NASDAQ：NXPI)宣佈展開首屆高性能射頻設計大賽報名，邀請全球各地射頻工程師和學生展現射頻功率裝置的創意應用。RF功率電晶體已被廣泛應用於電信、航太、廣播基礎設施以及各種工業、科學和醫療等應用。隨著RF LDMOS技術更加強大耐用且具更低成本，射頻驅動燈等新型應用也將得以達成。恩智浦高性能射頻設計大賽將針對參賽作品的創造力、設計效能、實用性、原創性和概念驗證等標準進行評選。獎品總值高達2.5萬美元其中包含一趟全程免費旅行至美國馬里蘭州Baltimore參加2011 MMT-S 國際微波研討會。
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) O4 g- {5 B( o9 d, D) L; h; M; @重點說明:

·      恩智浦高性能射頻設計大賽分三階段進行：
3 {: b' r; r7 N3 A9 M6 b+ p, Q8 s+ zo   第一階段：概念設計— 2011年1月10日至2月20日
* j2 p0 u2 z, l' }4 E0 t; Ao   第二階段：硬體設計— 2011年2月28日至4月24日
% r" y6 _7 \- N% d0 D5 ^! F% Ao   第三階段：原型設計— 2011年5月2日至29日

·         概念設計階段需繳交原始設計，包括摘要、標題和方塊圖。參賽者繳交合格的參賽作品後即可得到免費的設計大賽研發套件。
·         硬體設計階段每位參賽者須提出證明其概念的設計原型—如影片或測試報告，以及附帶的物料清單、原理圖、佈局圖等其他設計相關資料。
& ~2 J4 w; v4 t8 |% r* p" v·         歐洲、中東和非洲地區(EMEA)、亞太地區和美洲地區的優勝者將進入最後原型設計階段。在此階段每位參賽者將有機會於各地區恩智浦高性能射頻設計實驗室中改進其設計，恩智浦將全程負擔其交通費和住宿費。
·         前三名參賽者可獲得全程免費參與IMS2011會議。首獎獎品將包含價值3,000美金的Apple Store® 禮券。
% \4 e: D4 q, e7 e2 Z$ b7 [·         設計大賽社群的註冊會員及恩智浦評審委員會將對參賽設計進行評分投票。

恩智浦半導體資深副總裁暨高性能射頻與照明業務總經理John Croteau表示：「高性能射頻技術常用於解決最具挑戰性的工程，其應用涵蓋衛星接收器、無線基地台、廣播發送器、ISM、航太與國防等領域。恩智浦此次舉辦高性能射頻設計大賽目的用於激發具才華的射頻工程師利用創新思維，將射頻功率應用至新奇的領域。換言之，希望參賽者勇於突破，創造驚喜！恩智浦將協助達成他們的優秀創意。」

連結
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·         請參閱恩智浦高性能射頻設計大賽，了解更多比賽詳情並登記申請研發工具；或寄送電子郵件至hprf-dc@nxp.com 了解相關資訊。
·         恩智浦全球高性能RF產品推廣活動，請參閱http://www.cn.nxp.com/campaigns/high-performance-rf  查詢登記及申請免費樣品。