|
|
隨著電子系統產品往輕、薄、短、小、多、省、廉、快、美等趨勢演進，也促使半導體技術朝微縮與元件整合兩大方向發展。目前主流記憶體DRAM及Flash在1xnm將遇到製程微縮的重大挑戰與瓶頸，而從不同材料與設計著手的前瞻記憶體可望突破此限制，並將取代目前的主流記憶體。: g. q& U7 J5 a4 C
" f% b# y7 ]- c 迎接未來4G通訊時代，下一代Mobile DRAM需要高達12.8GB/s的頻寬，以支援4G時代手機傳輸功能的需求，而採用TSV技術來提高頻寬需求的3D IC，將實現Mobile Wide IO DRAM的來臨，並且在2012年也將逐漸應用在較高價位的智慧型手機中。
% n: c, {" b) Z# ^* P& a
# b, a4 P3 w% V8 z9 b 有鑑於前瞻IC重要技術發展逐漸改變市場生態，此次研討會將分別探討「前瞻記憶體(PCM、RRAM、STT-MRAM)全球發展趨勢」與「3D IC的新市場機會與挑戰」，提供各界更多元的思維，搶先掌握商機。
% Z8 J+ C. }0 y. a" C- [( u8 q# T2 ^9 {; x6 ?1 }
主辦單位： 經濟部技術處 ( c+ ~* w/ u' E0 q; p8 x
協辦單位： ITIS專案辦公室、工研院產業經濟與趨勢研究中心(IEK)、台南市電腦商業同業公會
* P4 R0 s' R5 H' ~: t時 間： 2011/9/1(四) 13:30~16:20
9 t9 ~0 ^* }, M地 點： 台南成大會館AB會議室(台南市東區大學路2號3樓)(場地資訊) " t+ t: h6 [ j6 o
活動費用： 新台幣$500元整
+ S. [5 k. a- @報名方式： 網路報名：至ITIS智網(www.itis.org.tw)直接填寫相關報名資料。 |
|
IP卡
狗仔卡
發表於 2011-8-19 11:06:00
QQ好友和群
QQ空間
騰訊微博
騰訊朋友
收藏
分享
頂
踩
分享
提升卡
置頂卡
沉默卡
喧囂卡
變色卡
搶沙發
千斤頂
顯身卡
樓主