bjt 的 layout

ben13949

請問 PDK 中的 BJT 射極的部份
' k. f1 j0 M% o
CT 和 OD有一段距離
$ ^- g  V# ?" s( O& V
  o& E, s7 ]8 o0 q) d+ ]) E1 v留那段距離目的是為甚麼?

ben13949

我再補充一下問題
# W' \1 _/ H. y* A, r' v1 e
8 x: d0 r* O! j0 u. q) ]我的意思是射極上的CT 沒有打到最滿
$ W  R2 N- p$ C* [
離邊緣還可以打上3個左右

m851055

CT是哪一層layer?
NPN or PNP?

CHIP321

3 U2 R6 ^. z* a# ~3 B$ ICont 在CMOS兼容工艺中可能考量的不是太多，因为会在整个区域做saliside等硅化措施。但是如果要严格的说的话，cont的位置，cont的深度及结构本身是会对射级注入效率产生影响的。所以Desgin 需要遵循 DRC Rule，不能随意更改，另外你这里提到的估计应当是纵向管，接触位于射极中心，会减少射极的横向（侧边）注入，在不变更三层结结构，尺寸下，能额外提升发射极效率。很多BiCmos中会使用一个Contact来做射极连接。其他寄生还会有些利弊影响，可能不是主要考量因素。这是我暂时能想到的，供LZ参考，不当处请批判指正。