新的PNP低VCEsat BISS/Trench MOSFET組合

NethanPeng

恩智浦PBSM5240PF在小訊號(BISS)電晶體與N通道Trench MOSFET中，結合了PNP低VCEsat的突破性技術。這項裝置裝載於無引線的中功率SOT1118表面接著裝置(SMD)塑料封裝。SOT1118的面積僅2 x 2mm，厚度僅0.65mm，為高效能終端產品的微型化提供絕佳機會。
* t. D; B4 l! r+ M傳統的BISS/MOSFET解決方案需要兩種封裝，相較之下，PBSM5240PF的面積縮小50%以上，封裝厚度也減少10%以上。另外，由於SOT1118建置了散熱器，裝置的熱效能可提升25%，進而達成更高的電流與更長的使用壽命。
想多了解產品的關鍵優勢及目標應用嗎？快上恩智浦官網看看吧http://www.tw.nxp.com/news/news-archive/2011/biss_mosfet.html