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在可攜式電子產品的成長趨勢帶動下，將更多的功能整合在更小的體積，並達到節能、高效、成本低的IC產品是消費者所期待的。IC 傳統上是兩維 (2D)的，但是其橫向面積的加大，已經沒有辦法讓摩爾定律 (Moore’s Law) 能繼續有效。因此，逐漸有人考慮到利用第三維來創造三維晶片 (3D IC)，也就是透過高度的堆疊來整合不同的 IC。利用晶片層的堆疊來減輕 IC 中擁擠的程度，這並不是什麼新的構想，這種想法在業界至少已經有30年的時間了，但是，過去一直以在平面製程或者設計工具上努力，達到摩爾定律的需求。
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與3D 封裝 (Package)不同的是，3D Package 裡面的元件是離散的，都是在元件的週邊利用 Bonding Wire 相接，但是 3D IC 卻是一個獨立的 IC，透過垂直與水平整合來大量提高集積密度。這個課程將針對3D IC 演進歷史，市場面，技術要求等不同面向介紹3D IC 之相關入門知識。
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課程大綱
# Q9 `7 x, y# I! y1 簡介(Introduction) 6 v) w0 L/ B. v
1.1 3D IC 的歷史發展 (History of 3D-IC)
% [ T1 ] g% ?( t/ d/ Y1.2不同的 3D IC 形式(Different 3D IC Styles) J: r4 p* ]. g' G8 o8 W2 i
2 為何要用 3D-IC (Why 3D-IC) ?
: l q5 Q/ @: B5 m( g+ }, D2.1現有 SOC 的設計問題 / U2 U% C* f: S0 C# Q+ Z" I3 w
2.2使用3D IC 設計的好處 2 g( O' m. t) I7 f! c& C0 C
2.3 SOC vs. SiP vs. 3D IC. B% @3 e% v# D
3 國際研究趨勢 (International Working Groups)
* t Z" E6 z" \0 W+ u# l3 N3.1 研究組織 (Research Organization) 3 O2 X. D. ?& f! R8 M6 V
3.2協會 (Associations)
8 J* X4 S1 n9 v+ w5 U4市場與產品評估(Market/Product Survey)
5 o7 B4 C$ i- n M6 v1 J' E4.1市場概況 (Market Overview)
" @, T- _) A" O7 ?; i4.2應用目標 (Target Applications)
, c- {. z; {# ]% I" c, J5 TSV 技術基本說明(TSV Technologies Introduction) , }' G+ U7 Q' ]
5.1 孔先 vs. 孔後 (Via-first vs. Via-last)% l/ k" N& ^; ~) @$ u( v, n+ @; \2 \
5.2 製程方面需求 (Process Requirement) |
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狗仔卡
發表於 2012-1-6 15:27:06
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