弱反轉區、BJT之LAYOUT

YuanII

各位大大您們好:
      小的最近有個好奇，很多電路在設計時，為了降低功耗，
    都讓電晶體操作在弱反轉區(Weak inversion)，
3 D' k: v* N2 m    這時電流很小，相對功率消耗小，可以理解，
6 l% y8 `2 V# `7 y+ p# U' K    但電晶體轉導值(gm)較飽和區時的轉導值(gm)大，
    翻了弱反轉區時的轉導公式:gm=Id/nVT
    既然電流小，為何gm會大??這點請各位大大幫我解惑??

0 ]" D( B; U( B8 a" m. z$ I6 \3 P      另外一個問題，看了一些Bandgap的設計，
' Z# S& V+ t- j- m0 l4 z1 ~0 O1 m    大家都將兩顆BJT設計1:8，因為LAYOUT上可以排成九宮格，
- @' r5 c$ g3 H    但小弟看到一篇新的設計讓BJT的比例為1:10(有它的特殊用意)，
" ^3 V! M# r! I- H' _( e      小弟好奇那在LAYOUT上該怎麼佈局??

      請各位好心人給意見^^謝謝

billlin

想到其中一種排法消除階梯(gradient)與對稱(systematic)的error:
  n, H8 g# `+ M- _6 H; yo代表dummy , X代表10的BJT , W代表1的BJT ..但比9宮格耗片積
o  X  o  X  o
X  X  o  o  X
o  o W o  o
& D8 P& w3 p7 S4 rX o  o  X  X
o X  o  X  o

billlin

weak inversion gm=I/nVT , VT=25mV  -->(1)
  W$ e# S+ z5 ostrong inversion gm=2I/(gate driver)  -->(2)
  R% |2 B- F: f# T所以直由公式直觀的算,
& P: }3 F( H; X9 T假設gate driver = 0.2V ..
要得到相同的gm ... 公式(1)比較省電

YuanII

謝謝大大的回覆@@
5 O! P$ W$ u" G8 R# |# X6 [9 W小弟大概知道意思，
謝謝。