不好意思，想請問一下 bandgap 的問題

a5317

, t! U* }6 y' f2 X$ i4 Q1 g想請問各位大大
9 b0 @$ ~9 ]2 \3 Z0 A
我是用TSMC 0.18um製程 設計bandgap再跑製程變異時，若電路有mos和BJT是要跑( EX:MOS有5種變異 BJT有3種變異 所以要跑15總組合!?)
8 J  H  r# ~& `2 B
還是直接跑一起跑 TT SS FF之類的。

小弟我有跑一下製程變異但有一個問題就是 請問在各個製程變異下 每一個VREF曲線 本來就會上下偏移 是正常嗎? 因為我以為會很接近

但是有約有50mV的偏移。

- r3 N9 |, T  |1 ]# w
  D% `. R4 U; p% Z- Z這是mos及bjt一起跑ff tt ss 的圖
想問這樣是正確的嗎

billlin

這偏移是BJT 的VBE 在不同Corner(SS/TT/FF)造成的,
( d/ P, b8 @  F, O2 w實際做出來的bandgap電壓也隨BJT VBE電壓呈絕對電壓關析
. k# l; G! K5 k. t3 {+ qVref=VBE+VT*(1+R2/R1)*ln(N)

a5317

恩恩 所以 我波形這樣是算正常的嗎?? 我是有計算每一個corner的溫度變異
8 }$ |) M  \5 m3 a6 M& e) G8 j都還是在差不多20多 ppm/C

billlin

算OK,理想的1階補償bandgap電壓根溫度是一個碗狀,
5 g+ F( x5 u0 i4 f! L1 {% d, q6 b# f6 n頂點設計在25度C.

sd5517805

希望各位讨论，多谢大家，等待。。。。。。

sma1033

如果要作到跟溫度接近0相關的話，只能夠做曲率補償
+ Y% @8 P& U/ P, Q你可以去google找curvature compensation bandgape
, D5 s+ N6 l+ {可以找到很多2接補償的資料

pocket112

我跑出來會有20mV偏差，應該是工藝不一樣