MOS的finger和mutiplier

billcheng

請問各位老大
1 k; }, c# S0 i, Y3 X) b
% S) K+ k% d. G$ w/ s若應用在LDO的powerMOS

; H3 d  P+ m! Z2 [% `+ T! G使用MOS的finger和multiplier 有什麼差別(我只知道finger 較省面積，寄生電容較小)

+ g: E; K- d: t" {6 ~例如電流會不穩嗎?? 或是會有漏電流....等情況

若用finger，那選MOS的width 和length有什麼特別需要注意的??
. O3 v2 ]/ E* H3 J4 ?  o8 Q3 K
( u8 c! \+ B9 q9 ?% O例如L不能用太小，W不能用超大 ??

謝謝大家

jackrabbit

finger 跟 multiplier 的差別
, x/ B) e' D5 v' ]前者是 S/D 共用, 後者是unit mos 然後duplicate
如果很強調matching就會用multiplier
finger的好處就如你說的沒錯

+ x2 e, r& @; U至於當LDO的power mos
因為size很大, 反而需要考慮的是device issue
像latch-up, ESD, over-stress, 這些layout上都有技巧~
( W3 _' R! a( f9 C( U: z7 A如果有over-stress的考量(需要把device 操作>Vds耐壓條件), L 不建議用minimum值
/ f. J" O. @! p8 z! ~/ e; J- A7 @至於W, 長度不可以太大, 主要是怕ESD時 turn-on不完全
另外, S/D 拉寬, cont/via 打滿, 降低接線造成的寄生阻值
諸如此類~

finster

補充一些:
% D- l! v* G3 C8 r& c4 u0 @一般來說,LDO的輸出會出PAD,故而LDO Power MOS要遵守ESD fule,所以L不會是minimum length
) S+ Z. f' X1 S! b6 I' v$ v而是minimum length + (0.1um ~ 0.2um)左右不等
% E+ _) _0 P6 n3 V- B至於Width, 也通常不會太短,至少都是大於15um以上,小於約40um以下左右不等,會有這個限制其實也是因為ESD performance的緣故
/ N# g- n0 Z8 b! K0 z& a% [且在Layout畫法上,需遵守ESD rule來畫,在Drain or Source端需加特別留意,加寬pick-up藉以拉遠Power MOS和相鄰不同type device,避免latch-up

empatheia

回復 3# finster
# a; _) R6 K( A: t" O- G
真精闢，謝謝版主的見解與分享

ninja0925

說得很詳細的一篇

0 K. d# W- F) J' K! P- y- v謝謝分享

e100292002

感謝版主的回覆仔細 收穫頗多